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嘉峪檢測(cè)網(wǎng) 2017-02-21 15:35
MIL-STD-461G標(biāo)準(zhǔn)的新要求CS117涉及到瞬態(tài)雷電感應(yīng),它是將DO-160G第22節(jié)標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用于商用飛機(jī)之前已經(jīng)應(yīng)用的一組測(cè)試。然而,軍用飛機(jī)和水面艦艇的要求與第22節(jié)的要求略有不同。這兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在測(cè)試期間應(yīng)用的6個(gè)脈沖波形。在第22節(jié)中波形顯示為下面3種事件類型的一部分:?jiǎn)螞_擊(SS),多沖擊(MS)和多爆發(fā)(MB)。CS117中的要求僅指MS和MB,不包括SS。第22節(jié)規(guī)定了針對(duì)干擾的三種應(yīng)用方法:探針注入(PIN),電纜感應(yīng)(CI)和接地注入(GI),而CS117需要使用CI方法的應(yīng)用脈沖。
與第22節(jié)相比,上述修改的原理與MIL標(biāo)準(zhǔn)中一般使用的規(guī)范一致,旨在減少和簡(jiǎn)化決策過程。飛機(jī)分區(qū)是建立適用波形集和測(cè)試級(jí)別所必需的程序,相對(duì)復(fù)雜和耗時(shí)。此外,標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試裝置被認(rèn)為是非常重要的。
在下一節(jié)中,將對(duì)來自兩種標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試電平進(jìn)行廣泛比較。
測(cè)試電平比較:第22節(jié)與CS117
在兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)中,每個(gè)波形都要定義測(cè)試電平。在第22節(jié)中,對(duì)于一個(gè)波形有五個(gè)測(cè)試電平,而在CS117只有兩個(gè)測(cè)試電平。 此外,CS117定義了針對(duì)低計(jì)數(shù)電線束或電源線的特殊(簡(jiǎn)化)測(cè)試電平。然而,來自CS117的簡(jiǎn)化測(cè)試電平在第22節(jié)中沒有對(duì)應(yīng)部分,所以將不包括在比較中。
最后,當(dāng)將第22節(jié)的探針注入(PIN)測(cè)試電平與來自CS117的CI測(cè)試電平進(jìn)行比較時(shí),將看到信號(hào)發(fā)生器定義的重要區(qū)別:PIN發(fā)生器具有由開路電壓和短路電流的比值確定了的固定虛擬阻抗,而在CI測(cè)試中,施加沒有固定阻抗的電壓或電流波形,并且設(shè)置電流或電壓限幅器來防止超出設(shè)備極限。為了保持一致的方法,只對(duì)測(cè)試電平進(jìn)行比較:WF1作為電流波形,WF2作為電壓波形,WF3作為電壓波形,WF4作為電壓波形,WF5A作為電流波形,WF6作為電流波形。在此分析中,不考慮電纜束(CB)測(cè)試中對(duì)電流或電壓的限制。
第22節(jié)PIN 與 CS117 CI比較
在DO-160G第22節(jié)中,用PIN方法施加三個(gè)波形:WF3(1 MHz),WF4和WF5A。將每個(gè)波形的PIN測(cè)試電平與CS117中為CI指定的相同波形的相對(duì)應(yīng)電平(第一沖擊)進(jìn)行比較。
I.第22節(jié)PIN與CS117 CI (WF31MHz)的比較
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WF3 1MHz |
|
|
DO160G S22 |
MIL-STD-461G CS117 |
|
PIN |
CI(第一沖擊) |
|
L1 100V |
- |
|
L2 250V |
- |
|
L3 600V |
內(nèi)部 600V |
|
L4 1500V |
外部 1500V |
|
L5 3200V |
- |
在CS117中對(duì)于WF3 1 MHz(見表I)規(guī)定了兩個(gè)測(cè)試電平(第一沖擊),用CI方法的CB測(cè)試,具有和第22節(jié)PIN方法中電平3和電平4相同的電平幅度。對(duì)于PIN測(cè)試,由于10MHz波形沒有在第22節(jié)中定義,本節(jié)中未考慮比較。 WF3的最高沖擊峰值要求見第22節(jié)。WF4的類似比較見表II。CS117的試驗(yàn)電平相當(dāng)于第22節(jié)的3級(jí)和4級(jí)。WF4的最高沖擊峰值要求見第22節(jié)。
II.第22節(jié)PIN與CS117 CI(WF4)的比較
|
WF4 |
|
|
DO160G S22 |
MIL-STD-461G CS117 |
|
PIN |
CI(第一沖擊) |
|
L1 50V |
- |
|
L2 125V |
- |
|
L3 300V |
內(nèi)部 300V |
|
L4 750V |
外部 750V |
|
L5 1600V |
- |
表III介紹了第22節(jié)(PIN方法)和CS117(CI方法)中關(guān)于WF5A的峰值電平要求之間的比較。與WF3和WF4的PIN測(cè)試電平不同,在CS117中規(guī)定了WF5A情況下的最高沖擊峰值要求。由于波形具有相對(duì)長(zhǎng)的上升時(shí)間,并且電纜電感對(duì)從耦合器到EUT(Equipment Under Test,受試設(shè)備的簡(jiǎn)寫)輸入連接器的干擾傳播具有較小的影響,因此可以斷言:CI的CS117要求可以覆蓋第22節(jié)關(guān)于WF5A的所有PIN要求。
III.第22節(jié)PIN與和CS117 CI (WF5A)的比較
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WF5A |
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|
DO160G S22 |
MIL-STD-461G CS117 |
|
PIN |
CI(第一沖擊) |
|
L150A |
- |
|
L2 125A |
- |
|
L3 300A |
- |
|
L4 750A |
內(nèi)部 1000A |
|
L5 1600A |
外部 2000A |
作為部分結(jié)論,在WF3和WF4情況下,來自第22節(jié)的PIN電平5的振幅高于來自CS117的最高的第一沖擊振幅;而在WF5A的情況下,來自第22節(jié)的PIN電平5的振幅較低。在CI方法的情況下,將出現(xiàn)本文第3節(jié)中對(duì)所有3個(gè)波形估計(jì)連接器處的有效測(cè)試電平。只要對(duì)連接器施加PIN干擾,使用CS117的CI方法在電纜束上施加擾動(dòng),比如在距離連接器一定距離處施加,則該電平估計(jì)對(duì)于更精確地比較測(cè)試電平是非常必要的。下面的表格將對(duì)第22節(jié)CB測(cè)試(CI和GI)所要求的測(cè)試電平與CS117要求的測(cè)試電平進(jìn)行比較。在MS事件情形下,僅需考慮第一沖擊的振幅。
IV.第22節(jié) CI和GI(SS,MS,MB)與CS117 CI比較
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WF1 電流波形 |
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|
D0160G S22 |
MIL-STD-461G CS117 |
|||
|
CI |
CI(FS) |
|||
|
SS |
MS(FS) |
MB |
MS |
|
|
L1[A] |
100 |
50 |
- |
- |
|
L2[A] |
250 |
125 |
- |
- |
|
L3[A] |
600 |
300 |
- |
內(nèi)部 600 |
|
L4[A] |
1500 |
750 |
- |
外部1500 |
|
L5[A] |
3200 |
1600 |
- |
- |
V.第22節(jié) CB/CI 與CS117(WF2)比較
|
WF2 電壓波形 |
||||
|
D0160G S22 |
MIL-STD-461G CS117 |
|||
|
CI |
CI(FS) |
|||
|
SS |
MS(FS) |
MB |
MS |
|
|
L1[V] |
50 |
50 |
- |
- |
|
L2[V] |
125 |
125 |
- |
- |
|
L3[V] |
300 |
300 |
- |
內(nèi)部 300 |
|
L4[V] |
750 |
750 |
- |
外部750 |
|
L5[V] |
1600 |
1600 |
- |
- |
VI.第22節(jié) CB/CI 與CS117 CI(WF3)比較
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WF3,1和10MHz 電壓波形 |
||||
|
D0160G S22 |
MIL-STD-461G CS117 |
|||
|
CI |
CI(FS) |
|||
|
SS |
MS(FS) |
MB |
MS |
|
|
L1[V] |
100 |
100 |
60 |
- |
|
L2[V] |
250 |
250 |
150 |
- |
|
L3[V] |
600 |
600 |
360 |
內(nèi)部 600(MB 360V) |
|
L4[V] |
1500 |
1500 |
900 |
外部1500(MB 900V) |
|
L5[V] |
3200 |
3200 |
1920 |
- |
表VII和VIII涉及波形4和5A,其中DO-160G第22節(jié)將GI指定為首選的注入方法。然而,如果在某些情況下CI方法更合適,則允許使用CI方法,并且一些產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)要求唯一使用CI方法注入波形5A。
VII.第22節(jié) CB/GI 與CS117 CI(WF4)對(duì)比
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WF4 -電壓波形 |
||||
|
D0160G S22 |
MIL-STD-461G CS117 |
|||
|
CI |
CI(FS) |
|||
|
SS |
MS(FS) |
MB |
MS |
|
|
L1[V] |
50 |
25 |
- |
- |
|
L2[V] |
125 |
62.5 |
- |
- |
|
L3[V] |
300 |
150 |
- |
內(nèi)部 300 |
|
L4[V] |
750 |
375 |
- |
外部750 |
|
L5[V] |
1600 |
800 |
- |
- |
VIII.第22節(jié)CB/GI 與CS117 CI(WF5A)的比較
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WF5A 電流波形 |
||||
|
D0160G S22 |
MIL-STD-461G CS117 |
|||
|
優(yōu)先GI |
CI(FS) |
|||
|
SS |
MS(FS) |
MB |
MS |
|
|
L1[A] |
150 |
60 |
- |
- |
|
L2[A] |
400 |
160 |
- |
- |
|
L3[A] |
1000 |
400 |
- |
內(nèi)部 1000 |
|
L4[A] |
2000 |
800 |
- |
外部2000 |
|
L5[A] |
5000 |
2000 |
- |
- |
IX. 第22節(jié)CB/CI與CS117 CI(WF6)的比較
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WF6 - 電流波形 |
||||
|
D0160G S22 |
MIL-STD-461G CS117 |
|||
|
CI |
CI(FS) |
|||
|
SS |
MS(FS) |
MB |
MS |
|
|
L1[A] |
- |
- |
5 |
- |
|
L2[A] |
- |
- |
12.5 |
- |
|
L3[A] |
- |
- |
30 |
內(nèi)部 30 |
|
L4[A] |
- |
- |
75 |
外部75 |
|
L5[A] |
- |
- |
160 |
- |
對(duì)表IV至表IX的分析表明:
•對(duì)于所有波形,第22節(jié)中SS測(cè)試電平3的振幅,對(duì)應(yīng)于航空器內(nèi)部設(shè)備和船舶甲板以下設(shè)備(來自CS117)的MS要求中的第一沖擊的振幅。
•對(duì)于所有波形,第22節(jié)SS測(cè)試電平4的幅度,對(duì)應(yīng)于航空器外部設(shè)備和船舶甲板以上設(shè)備(來自CS117)的MS要求中的第一沖擊的振幅。
•在第22節(jié)中指定波形2和3的情況下,SS事件的幅度等同于來自MS事件的第一沖擊的幅度。由于CS117將MS事件指定為測(cè)試要求,因此可以考慮這些波形的測(cè)試電平在兩種標(biāo)準(zhǔn)(在通用測(cè)試電平)下是等效的。
•在第22節(jié)中指定的波形1,4和5A的情況下,SS事件的幅度高于MS事件的第一沖擊的幅度。在指定的測(cè)試水平下,兩種標(biāo)準(zhǔn)的等效性不能直接確立。
•對(duì)于MB要求,CS117的測(cè)試電平和限值與第22節(jié)(分別為3級(jí)和4級(jí))的測(cè)試電平和限值是直接等效的。
測(cè)試要求和測(cè)試電平的分析
本節(jié)將涉及兩個(gè)主題,即PIN,CI和GI注入方法之間的相關(guān)差異,以及相應(yīng)案例的分析。案例研究將比較PIN和CI方法應(yīng)用于波形3,4,5A的場(chǎng)景。
探針注入與電纜感應(yīng)
DO-160G第22節(jié)中規(guī)定的注入方法或測(cè)試類型基本上分為兩類:探針注入和電纜束(測(cè)試)。
在探針注入測(cè)試的情況下:
•EUT必須“通電”,脈沖施加在有電或無電的引腳上。
•在指定的引腳和外殼之間施加正脈沖和負(fù)脈沖。
•信號(hào)發(fā)生器具有固定阻抗,即WF3為25Ω,WF4為10Ω,WF5A為1Ω。
•在OC和SC條件下用一定電平裝置校準(zhǔn)發(fā)生器后,在測(cè)試期間可施加脈沖而不進(jìn)行任何調(diào)整。
•在施加脈沖時(shí)監(jiān)控電壓和電流,以確認(rèn)是否發(fā)生波形變化或電介質(zhì)擊穿。
電壓校準(zhǔn)在測(cè)試體的末端執(zhí)行,如圖1所示,以確保在測(cè)試期間不在校準(zhǔn)點(diǎn)和EUT接口之間添加額外的阻抗。

圖1. PIN電壓校準(zhǔn)。
如圖2所示,使用和連接到信號(hào)發(fā)生器一樣的電纜和端子,可以使用具有最短分流的短路進(jìn)行電流校準(zhǔn)。信號(hào)發(fā)生器裝置必須保持和電壓校準(zhǔn)所需的裝置一樣。短路電流的測(cè)量允許計(jì)算信號(hào)發(fā)生器的有效阻抗。

圖2. PIN電流校準(zhǔn)
執(zhí)行測(cè)試時(shí),校準(zhǔn)點(diǎn)必須直接連接到EUT引腳上。該測(cè)試僅在共模模式下進(jìn)行,如圖3所示。

圖3.簡(jiǎn)化的PIN測(cè)試設(shè)備。
當(dāng)存在有源引腳時(shí),需要額外的保護(hù)元件以防止EUT電源損壞信號(hào)發(fā)生器。同樣的,電源與測(cè)試脈沖解耦也需要保護(hù)的元件。 這些元件在圖中沒有給出,因?yàn)樗鼈兣c要比較內(nèi)容的相關(guān)性相對(duì)講是較低的。
當(dāng)與CI和GI方法相比較時(shí),一個(gè)重要的方面是該注入方法不需要接地平面。
在電纜束(CI和GI方法)測(cè)試的情況下:
• EUT必須在測(cè)試期間全功能運(yùn)行,連接所有子系統(tǒng),通電和通信。
• 正負(fù)脈沖在帶耦合器的電纜束中被感應(yīng),或注入到接地點(diǎn)和EUT外殼之間。
• 信號(hào)發(fā)生器不一定需要具有固定的輸出阻抗,在測(cè)試期間需監(jiān)控電流和電壓波形。
• 在測(cè)試期間,必須達(dá)到指定的測(cè)試電平,并且注入的波形必須達(dá)到該測(cè)試電平??梢栽黾有盘?hào)發(fā)生器裝置以達(dá)到已建立的測(cè)試電平。
• 在施加電壓波形時(shí),必須在增加信號(hào)發(fā)生器裝置的同時(shí)監(jiān)控電流。為了避免EUT過載,規(guī)定了電流限值,如果在達(dá)到電壓測(cè)試電平之前達(dá)到此限值,必須停止測(cè)試,并且用電流波形測(cè)試代替電壓波形測(cè)試。施加電流波形時(shí)亦使用相同的原理。
• 對(duì)于波形1,2,3和6,推薦使用CI方法,而對(duì)于波形4和5A,GI是“首選”方法。需要進(jìn)行分析以便為不同配置建立其等價(jià)性。

圖4.簡(jiǎn)化的CI電壓校準(zhǔn)裝置示例。
在圖4和圖5中給出了用于CI方法的簡(jiǎn)化校準(zhǔn)裝置,針對(duì)波形3給出了示例。在耦合器的輸出處執(zhí)行校準(zhǔn),因此認(rèn)為雷電沖擊的入口點(diǎn)可以位于電纜束。這在現(xiàn)實(shí)中是可以實(shí)現(xiàn)的。盡管第22節(jié)規(guī)定了實(shí)際測(cè)試設(shè)置的接地層,但在校準(zhǔn)設(shè)置中不予考慮。地平面的影響在校準(zhǔn)期間當(dāng)有快速上升時(shí)間的波形時(shí)將更清晰,因?yàn)榻拥仄矫娴拇嬖诳赡苡绊懽⑷牒托?zhǔn)環(huán)路的高頻阻抗。然而,在CS117中也出現(xiàn)相同的簡(jiǎn)化校準(zhǔn)裝置。

圖5.簡(jiǎn)化的CI電流校準(zhǔn)裝置示例。
在圖6中,給出了使用CI方法的測(cè)試裝置的示例。第22節(jié)要求在施加脈沖時(shí)進(jìn)行電壓和電流監(jiān)測(cè)。此外除非另有規(guī)定,接地平面和電纜束之間應(yīng)保持最小為5厘米的絕緣層。EUT,以及輔助設(shè)備或LISN,應(yīng)放置在絕緣支架上。

圖6.簡(jiǎn)化的CI測(cè)試裝置示例。
與PIN測(cè)試(其中校準(zhǔn)點(diǎn)直接應(yīng)用于EUT接口)相比,CI測(cè)試通過電纜束將測(cè)試信號(hào)施加到接口。

圖7.電纜束的簡(jiǎn)化傳輸線模型。
EUT和電流監(jiān)測(cè)探頭(d1)之間的距離應(yīng)在5~15cm范圍內(nèi),而監(jiān)測(cè)探頭和注入變換器(d2)之間的距離應(yīng)在5~50cm范圍內(nèi)。在這方面,另一個(gè)重要參數(shù)是電纜束的長(zhǎng)度,第22節(jié)建議長(zhǎng)度不小于3.3m,不大于15m。為了更好地評(píng)估在直接注入接口處和經(jīng)由電纜束注入之間的差異,將考慮電纜束中的電纜的傳輸線模型(圖7)。
為了簡(jiǎn)化演示的效果,只考慮共模電容和每個(gè)導(dǎo)體的串聯(lián)電感(分布參數(shù)),不考慮互感和差模電容。
已經(jīng)對(duì)接地平面上的殼線進(jìn)行了電感和電容的測(cè)量,以確定哪個(gè)效應(yīng)是主要的。結(jié)果示于表X中。預(yù)期電纜束的電感將是主要效應(yīng),但電容效應(yīng)也在降低電纜束的EUT和AE端的電壓中起作用。
X.地上方1線的電感和電容
|
長(zhǎng)度 |
橫截面 |
高度 |
電容(估計(jì)) |
電感(估計(jì)) |
|
3.3m |
1.5mm2 |
5 cm |
40 pF |
2μH |
|
15m |
1.5mm2 |
5 cm |
120 pF |
14μH |
此外,電纜束中電線的接地電容和串聯(lián)電感隨著EUT和輔助設(shè)備之間的電纜長(zhǎng)度而增加。隨著電壓信號(hào)朝向EUT或AE行進(jìn),電壓振幅預(yù)期會(huì)減小。然而,EUT側(cè)(靠近耦合器)的電壓幅度預(yù)期高于AE側(cè)的電壓幅度(電纜束到耦合器的長(zhǎng)度更長(zhǎng))。

圖8.使用15 m電纜束的測(cè)試裝置。
將考慮以下情況:
XI. 實(shí)驗(yàn)裝置情況。
|
d1 |
d2 |
l |
h |
ZT |
|
|
情形1 |
5cm |
5cm |
3.3m |
5cm |
OC |
|
情形2 |
5cm |
5cm |
3.3m |
5cm |
SC |
|
情形3 |
15cm |
50cm |
15cm |
5cm |
OC |
|
情形4 |
15cm |
50cm |
15cm |
5cm |
SC |
測(cè)量如下進(jìn)行:
• 開路和短路中的校準(zhǔn)是在測(cè)試電平600V下進(jìn)行。
• 依據(jù)CS117,波形3、1MHz、600V用作測(cè)試電平1。
• 信號(hào)發(fā)生器已在開路和短路條件下校準(zhǔn)。在整個(gè)測(cè)試期間保持用相同的信號(hào)發(fā)生器。
• 電纜束和接地平面之間為5cm絕緣,μr≈2。
• 對(duì)兩個(gè)電纜束進(jìn)行了測(cè)試和測(cè)量。第一束由4根電線組成,直徑1.8mm,長(zhǎng)度3.3m,而第二束具有15m長(zhǎng)度。選擇的長(zhǎng)度反映了第22節(jié)建議的最小和最大尺寸。
• 在情況1和3(圖8)中,電纜束的末端是開路的(對(duì)應(yīng)于對(duì)地的高阻抗),而在情況2和4中,已經(jīng)設(shè)置了對(duì)地短路(對(duì)應(yīng)于對(duì)地的低阻抗)。
測(cè)量結(jié)果其峰值示于表XII中。
XII.案例1至4的測(cè)量結(jié)果。
|
VEUT 終端 |
IEUT |
VAE 終端 |
|
|
情形1 |
519 V |
n/a |
213V |
|
情形2 |
n/a |
30A |
n/a |
|
情形3 |
~ 505 V |
n/a |
~ 107 V |
|
情形4 |
n/a |
12.4 A |
n/a |

圖9. EUT側(cè)旁情形1中測(cè)得的WF3電壓。

圖10.在AE側(cè)旁情形3中測(cè)得的WF3電壓。
可以得出部分結(jié)論:
•在EUT高輸入阻抗的情況下,施加到EUT端子的電壓取決于電纜束的長(zhǎng)度和主要電感。
•在EUT低輸入阻抗的情況下,電纜束中的電流隨著束的長(zhǎng)度增加而減小。
•在情形2和4中,電纜束的電感阻止信號(hào)發(fā)生器輸送的所有電流流過,因此在耦合器輸出端測(cè)量的電壓可能保持較高。在這里不對(duì)這種現(xiàn)象做出解釋,因?yàn)樗枰敿?xì)的數(shù)據(jù)。
•按情況1和3中已經(jīng)測(cè)量了耦合器兩側(cè)的電流。由于對(duì)地的電容耦合,按情形3在耦合器輸出到輔助設(shè)備處測(cè)得高達(dá)10 A的電流。該值表示在校準(zhǔn)期間測(cè)量的短路電流的10%以上,表明在長(zhǎng)電纜束的情況下對(duì)地的電容效應(yīng)是顯著的。
•在EUT端和AE / LISN端測(cè)量的電流具有相似的波形和幅度。因此,在表XII中僅包括IEUT是可接受的。
•在情形1和2中,電壓(圖9所示)和電流波形都類似于校準(zhǔn)波形。然而,在情形3(圖10所示)和4中,可以注意到有顯著的疊加振蕩,這表明長(zhǎng)的電纜束可以形成諧振電路。在所有情形下,可使用DO-357(第22節(jié)用戶指南)的流程來評(píng)估峰值。諧振現(xiàn)象是常見的,并且對(duì)于電纜束的情況不需要額外的論證。
結(jié)論
本文介紹了兩組比較,即第22節(jié)PIN測(cè)試電平和CS117 CI測(cè)試電平之間比較,以及第22節(jié)CI測(cè)試電平和CS117 CI測(cè)試電平之間比較。
一般來說,CS117測(cè)試電平代表來自第22節(jié)針對(duì)PIN或CI簡(jiǎn)單沖擊要求的3級(jí)和4級(jí)。
波形2和3的CI要求類似于對(duì)于電平3和4處的MS事件的SS和首次沖擊。
在電纜感應(yīng)測(cè)試的情況下,當(dāng)EUT和測(cè)量探頭之間的距離達(dá)到最?。?cm),并且注入探頭和測(cè)量探頭之間的距離最?。?cm)時(shí),使得注入(電流)幅度和EUT連接器上幅度有最小差值。
這CS117特別專注于電流波形。這表現(xiàn)在如下事實(shí)上,即MS要求的規(guī)范,和下降的測(cè)試電平總是用電流表示(但波形3通常認(rèn)為是電壓波形)。
在CS117中通過CI測(cè)試來涵蓋PIN需求的主張大多是可驗(yàn)證的。然而,測(cè)量表明,在最差情況下施加到EUT端子的電壓(耦合器離EUT輸入65cm遠(yuǎn))減少了大約16%(在耦合器上施加600V,在EUT輸入處測(cè)量得505V)。這種現(xiàn)象是正常的,并且再現(xiàn)了耦合到電纜束中的雷電沖擊的實(shí)際情況。但是,如果必須使用CI方法在EUT輸入端驗(yàn)證某個(gè)測(cè)試電平,則必須增加信號(hào)發(fā)生器框架以補(bǔ)償電纜束的阻抗。電壓和/或電流的必要增加取決于電纜束的阻抗。如果超過極限電平,增加測(cè)試電平可能導(dǎo)致過度測(cè)試。
對(duì)于其他波形,測(cè)試電平和電纜束,測(cè)試信號(hào)發(fā)生器中必要的能量?jī)?chǔ)備可能是不同的。

來源:AnyTesting