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失效分析-Ag遷移致集成電路輸出異常

嘉峪檢測(cè)網(wǎng)        2015-12-31 15:35

1. 案例背景

某功能模塊在用戶端出現(xiàn)功能失效,經(jīng)返廠檢修,發(fā)現(xiàn)該模塊上的一片IC輸出異常,經(jīng)更換IC后,功能模塊恢復(fù)正常。

 

2.分析方法簡(jiǎn)述

對(duì)樣品進(jìn)行外觀觀察,未發(fā)現(xiàn)明顯異常。

 

美信檢測(cè)

 

經(jīng)X-RAY無損檢測(cè),未發(fā)現(xiàn)明顯異常。

 

美信檢測(cè)

 

通過C-SAM掃描發(fā)現(xiàn)了IC內(nèi)部存在分層現(xiàn)象。

 

美信檢測(cè)

 

通過IV曲線測(cè)試,發(fā)現(xiàn)引腳間存在漏電通道。

 

美信檢測(cè)

 

DE-CAP后,利用SEM/EDS進(jìn)行分析,確認(rèn)了引腳間存在銀遷移問題。

 

美信檢測(cè)

美信檢測(cè)

 

3.結(jié)論
IC內(nèi)部存在分層,由于水汽的入侵,加上集成電路各引腳之間存在電位差,導(dǎo)致了引腳間的銀遷移,從而在引腳間形成微導(dǎo)通電路,致IC輸出異常。


4. 參考標(biāo)準(zhǔn)
GJB 548B-2005 微電子器件失效分析程序-方法5003。
IPC-TM-650 2.1.1-2004手動(dòng)微切片法。
GB/T 17359-2012 電子探針和掃描電鏡X射線能譜定量分析通則。

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來源:深圳市美信檢測(cè)技術(shù)有限

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