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針入度

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針入度(Needlepenetration) 針入度是以標(biāo)準(zhǔn)針在一定的荷重、時(shí)間及溫度條件下垂直穿入瀝青試樣的深度來(lái)表示，單位為1／10mm。非經(jīng)另行規(guī)定，標(biāo)準(zhǔn)針、針連桿與附加砝碼的合重為100±0.1g，溫度25℃，時(shí)間為5s。針入度愈大表示愈軟，即稠度愈?。环粗畡t表示愈硬，即稠度愈大。針入度測(cè)試儀器：針入度電腦式、針入...查看詳情>>

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針入度(Needlepenetration)

針入度是以標(biāo)準(zhǔn)針在一定的荷重、時(shí)間及溫度條件下垂直穿入瀝青試樣的深度來(lái)表示，單位為1／10mm。非經(jīng)另行規(guī)定，標(biāo)準(zhǔn)針、針連桿與附加砝碼的合重為100±0.1g，溫度25℃，時(shí)間為5s。針入度愈大表示愈軟，即稠度愈??；反之則表示愈硬，即稠度愈大。

針入度測(cè)試儀器：針入度電腦式、針入度數(shù)顯式

檢測(cè)項(xiàng)目

針入度

收起百科↑ 最近更新：2017年03月21日

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上海市安全生產(chǎn)科學(xué)研究所特種電器檢測(cè)站

檢測(cè)項(xiàng)：快速瞬變(脈沖群)共模** 檢測(cè)樣品：標(biāo)準(zhǔn)：

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中國(guó)測(cè)試技術(shù)研究院

檢測(cè)項(xiàng)：電子單元輸入共模抑制比檢測(cè)樣品：熔點(diǎn)儀標(biāo)準(zhǔn)：《熔點(diǎn)測(cè)定儀》 JB/T 6177-1992

檢測(cè)項(xiàng)：電子單元輸入共模抑制比檢測(cè)樣品：熔點(diǎn)儀標(biāo)準(zhǔn)：《熔點(diǎn)測(cè)定儀》 JB/T 6177-1992

檢測(cè)項(xiàng)：全項(xiàng)目檢測(cè)樣品：邵氏硬度計(jì) 標(biāo)準(zhǔn)：GB/T531.1-2008硫化橡膠或熱塑性橡膠壓入硬度試驗(yàn)方法第1部分：邵氏硬度計(jì)法

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上海華嶺集成電路技術(shù)股份有限公司檢測(cè)中心

檢測(cè)項(xiàng)：共模抑制比檢測(cè)樣品：時(shí)基電路標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測(cè)試方法的基本原理 SJ/T 10805-2000

檢測(cè)項(xiàng)：最大共模輸入電壓檢測(cè)樣品：時(shí)基電路標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測(cè)試方法的基本原理 SJ/T 10805-2000

檢測(cè)項(xiàng)：共模抑制比檢測(cè)樣品：CMOS集成電路標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體器件集成電路第3部分：模擬集成電路 GB/T 17940-2000

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云南昆船電子設(shè)備有限公司藍(lán)海綜合實(shí)驗(yàn)中心

檢測(cè)項(xiàng)：輸出共模抑制比檢測(cè)樣品：TTL電路標(biāo)準(zhǔn)：SJ/T 10735-1996 半導(dǎo)體集成電路TTL電路測(cè)試方法的基本原理

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北京新世紀(jì)檢驗(yàn)認(rèn)證有限公司

檢測(cè)項(xiàng)：電信端口的傳導(dǎo)共模騷擾檢測(cè)樣品：信息技術(shù)設(shè)備（EMC）標(biāo)準(zhǔn)：信息技術(shù)設(shè)備抗擾度限值和測(cè)量方法 GB/T 17618-1998 CISPR 24:2010 EN 55024:2010

檢測(cè)項(xiàng)：射頻共模檢測(cè)樣品：居住、商業(yè)和輕工業(yè)環(huán)境中產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)：電磁兼容通用標(biāo)準(zhǔn) 居住、商業(yè)和輕工業(yè)環(huán)境中的抗擾度試驗(yàn) GB/T 17799.1-1999 IEC 61000-6-1: 2005 EN61000-6-1：2007

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北京交通大學(xué)電磁兼容實(shí)驗(yàn)室

檢測(cè)項(xiàng)：電信端口的傳導(dǎo)共模騷擾限值檢測(cè)樣品：工業(yè)、科學(xué)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)：信息技術(shù)設(shè)備的無(wú)線電騷擾限值和測(cè)量方法 GB 9254-2008 / CISPR 22：2006

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中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十四研究所檢測(cè)/試驗(yàn)中心

檢測(cè)項(xiàng)：共模抑制比檢測(cè)樣品：電壓比較器標(biāo)準(zhǔn)：SJ/T10805-2000半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測(cè)試方法的基本原理

檢測(cè)項(xiàng)：共模抑制比檢測(cè)樣品：運(yùn)算放大器標(biāo)準(zhǔn)：SJ/T10738-1996半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算（電壓）放大器測(cè)試方法的基本原理

檢測(cè)項(xiàng)：共發(fā)射極正向電流傳輸比檢測(cè)樣品：雙極型晶體管標(biāo)準(zhǔn)：GB/T4587-1994半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第7部分雙極型晶體管

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西南計(jì)算機(jī)有限責(zé)任公司檢測(cè)計(jì)量與軟件測(cè)評(píng)中心

檢測(cè)項(xiàng)：共模抑制比檢測(cè)樣品：電壓比較器標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測(cè)試方法的基本原理 GB/T6798-1996

檢測(cè)項(xiàng)：共模抑制比檢測(cè)樣品：電壓比較器標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測(cè)試方法的基本原理 GB/T6798-1996

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國(guó)營(yíng)長(zhǎng)風(fēng)機(jī)器廠環(huán)境試驗(yàn)檢測(cè)計(jì)量中心

檢測(cè)項(xiàng)：共模抑制比檢測(cè)樣品：數(shù)字集成電路標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理 SJ/10741-2000

檢測(cè)項(xiàng)：共發(fā)射正向電流傳輸比檢測(cè)樣品：雙極型晶體管標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體器件分立器第7部分雙極型晶體管 GB/T4587-1994

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上海無(wú)線電設(shè)備研究所環(huán)境與檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室

檢測(cè)項(xiàng)：共模抑制比檢測(cè)樣品：模擬集成電路標(biāo)準(zhǔn)：《半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范》GJB597A-1996

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