您當前的位置:首頁 > 微分增益失真
機構(gòu)所在地:上海市
檢測項:直流增益 檢測樣品:晶體管 標準:半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 方法3076.1
機構(gòu)所在地:陜西省西安市
檢測項:天線增益 檢測樣品:移動通信天線 標準:移動通信天線通用技術(shù)規(guī)范 GB/T 9410-2008 IEEE天線測試標準流程 ANSI/IEEE Std 149-1979
機構(gòu)所在地:廣東省深圳市
機構(gòu)所在地:廣東省廣州市
檢測項:開環(huán)電壓增益 檢測樣品:半導體集成電路電壓比較器 標準:GB/T6798-1996 半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理
檢測項:開環(huán)電壓增益 檢測樣品:晶體三極管 標準:GB/T4587-1994 半導體分立器件和集成電路 第7部分:雙極型晶體管
檢測項:開環(huán)電壓增益 檢測樣品:半導體集成電路電壓比較器 標準:GB/T6798-1996 《半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理》
機構(gòu)所在地:江蘇省連云港市
機構(gòu)所在地:北京市
檢測項:增益 檢測樣品:聲頻功率放大器 標準:聲頻功率放大器通用技術(shù)條件 SJ/T10406-1993
檢測項:額定(失真限制的)輸出電壓或功率的持續(xù)時間 檢測樣品:聲頻功率放大器 標準:聲頻功率放大器通用技術(shù)條件 SJ/T10406-1993
檢測項:多通道放大器中通道間的增益差和相位差 檢測樣品:聲頻功率放大器 標準:聲頻功率放大器通用技術(shù)條件 SJ/T10406-1993
機構(gòu)所在地:四川省成都市
檢測項:開環(huán)電壓增益AVD 檢測樣品:半導體集成電路TTL電路 標準:SJ/T10735-1996《半導體集成電路TTL電路測試方法的基本原理》
機構(gòu)所在地:湖北省武漢市
機構(gòu)所在地:山東省濟南市