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微電子材料中硅片直徑測(cè)量的檢測(cè)

檢測(cè)項(xiàng)：硅片直徑測(cè)量 檢測(cè)樣品：微電子材料 標(biāo)準(zhǔn)：GB/T14140-2009 硅片直徑測(cè)量方法

檢測(cè)機(jī)構(gòu)：國家材料分析檢測(cè)中心 更多相關(guān)信息>>

光伏硅片中氧含量的檢測(cè)

檢測(cè)項(xiàng)：氧含量 檢測(cè)樣品：光伏硅片 標(biāo)準(zhǔn)：硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法 GB/T 1557-2018

檢測(cè)機(jī)構(gòu)：國家電子電器產(chǎn)品檢測(cè)中心 更多相關(guān)信息>>

北京科大分析檢驗(yàn)中心有限公司

檢測(cè)項(xiàng)：電阻率 (電阻系數(shù)) 檢測(cè)樣品：半導(dǎo)體材料 標(biāo)準(zhǔn)：硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針法 GB/T 6617-2009

機(jī)構(gòu)所在地：北京市 更多相關(guān)信息>>

連云港市質(zhì)量技術(shù)綜合檢驗(yàn)檢測(cè)中心

檢測(cè)項(xiàng)：III-V族雜質(zhì)含量 檢測(cè)樣品：晶體硅 標(biāo)準(zhǔn)：《半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定非接觸渦流法》 GB/T 6616-2009

檢測(cè)項(xiàng)：直徑及允許偏差 檢測(cè)樣品：晶體硅 標(biāo)準(zhǔn)：《硅片直徑測(cè)量方法》 GB/T 14140-2009

檢測(cè)項(xiàng)：徑向電阻率變化測(cè)量 檢測(cè)樣品：晶體硅 標(biāo)準(zhǔn)：《硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法》 GB/T 11073-2007

機(jī)構(gòu)所在地：江蘇省連云港市 更多相關(guān)信息>>

萬向硅峰電子股份有限公司檢測(cè)中心

檢測(cè)項(xiàng)：氧含量 檢測(cè)樣品：硅片 標(biāo)準(zhǔn)：《硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測(cè)量方法》GB/T 1557-2006

檢測(cè)項(xiàng)：碳含量 檢測(cè)樣品：硅片 標(biāo)準(zhǔn)：《硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法》GB/T 1558-2009

檢測(cè)項(xiàng)：電阻率 檢測(cè)樣品：硅片 標(biāo)準(zhǔn)：《硅單晶電阻率測(cè)定方法》GB/T 1551-2009

機(jī)構(gòu)所在地：浙江省衢州市 更多相關(guān)信息>>