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（一）阿爾法粒子的危害

半導(dǎo)體器件的各種制造和封裝材料中存在痕量的鈾（U）、釷（Th）等雜質(zhì)，這些雜質(zhì)具有天然放射性，其釋放的阿爾法粒子具有較強(qiáng)的電離能力。目前，半導(dǎo)體器件中阿爾法粒子主要來(lái)源于模塑料、焊球、底部填充膠等，其發(fā)射率分為三個(gè)等級(jí)：普通、低阿爾法（LA）和超低阿爾法（ULA）。阿爾法粒子穿過(guò)電子器件時(shí)可產(chǎn)生大量的電子-空穴對(duì)，電子-空穴對(duì)被器件收集進(jìn)而導(dǎo)致軟錯(cuò)誤的出現(xiàn)。軟錯(cuò)誤雖然可以被糾正，但當(dāng)其發(fā)生在關(guān)鍵位置（如中央處理器指令緩存）且沒(méi)有被及時(shí)修正時(shí)，可能導(dǎo)致嚴(yán)重的后果。隨著集成電路工藝的持續(xù)發(fā)展，受集成度增大、供電電壓降低、節(jié)點(diǎn)電容減小等因素的影響，電離粒子在先進(jìn)工藝器件中引起的軟錯(cuò)誤成為應(yīng)用可靠性的關(guān)鍵威脅。

圖半導(dǎo)體器件封裝中的阿爾法粒子來(lái)源（圖片來(lái)源：IBM）

（二）測(cè)試樣品要求

針對(duì)半導(dǎo)體器件中所有發(fā)射阿爾法粒子的材料，包括塑封料、焊球、晶圓等，均可進(jìn)行阿爾法粒子發(fā)射率測(cè)試，覆蓋各種阿爾法粒子發(fā)射率等級(jí)。進(jìn)行阿爾法粒子發(fā)射率測(cè)試的樣品要求如下表所示。

表1  測(cè)試樣品要求