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大燈PTH上錫不良失效分析

嘉峪檢測網(wǎng)        2021-08-20 20:36

大燈PTH上錫不良

 

報(bào)告摘要

 

1背景:

 

某客戶生產(chǎn)的攝像頭主板,大燈PTH位置發(fā)現(xiàn)上錫不良, 需進(jìn)行原因分析,提供改善對策。 

 

2分析結(jié)果:

 

孔壁側(cè)及元件側(cè)未發(fā)現(xiàn)不潤濕現(xiàn)象,兩側(cè)IMC厚度均偏薄,證明焊接熱量不足;LED元件原物料pin腳上錫OK ;不良都發(fā)生在大燈一側(cè),推測與大燈的特殊插件方式有關(guān),加上焊接熱量不足,容易在孔底部空隙較大處產(chǎn)生空洞。

 

3失效癥狀: 

 

PTH上錫不良

 

4失效模式:

 

焊接不良

 

5失效機(jī)理:

 

大燈的特殊插件方式加上焊接熱量不足導(dǎo)致孔底部空隙較大處產(chǎn)生空洞 

 

6根本原因:

 

設(shè)計(jì)原因+回爐曲線不佳

 

7改善建議:

 

合理調(diào)節(jié)錫爐溫度及過爐時(shí)間,增加焊接熱量;增加插件輔助治具,避免pin腳低端插斜。

 

PART.1背景

 

某客戶生產(chǎn)的攝像頭主板,大燈PTH位置發(fā)現(xiàn)上錫不良。PCB表面處理方式為I-Ag,LED引腳表面處理方式為鐵基材上鍍銅鎳后鍍錫 。

 

大燈PTH上錫不良失效分析

 

PART.2實(shí)驗(yàn)方案

 

大燈PTH上錫不良失效分析

 

PART.3實(shí)驗(yàn)結(jié)果

 

(1)NG樣品切片SEM分析

 

孔壁及元件引腳表面未發(fā)現(xiàn)不潤濕現(xiàn)象,元件側(cè)及孔壁側(cè)IMC厚度均偏薄。

 

大燈PTH上錫不良失效分析

 

(2)NG樣品切片EDS分析-上錫飽滿處

 

孔壁側(cè)主要生成Ag3Sn IMC,幾乎沒有Cu6Sn5化合物生成,即基材Cu幾乎沒有參與反應(yīng),推測焊接熱量不充分。元件側(cè)生成鎳錫銅IMC,但偏薄。

 

大燈PTH上錫不良失效分析

 

(3)NG樣品切片EDS分析-孔壁拐角處

 

通孔拐角處仍生成了銅錫金屬化合物,證明孔壁外觀不上錫處,潤濕良好。

 

大燈PTH上錫不良失效分析

 

大燈PTH上錫不良失效分析

 

(4)NG樣品切片EDS分析-元件

 

Pin腳不上錫處也發(fā)現(xiàn)生成鎳銅錫金屬化合物,證明pin腳潤濕良好。

 

大燈PTH上錫不良失效分析

 

大燈PTH上錫不良失效分析

 

(5)原物料(大燈)—切片+SEM+EDS分析

 

LED pin腳基材為Fe,鍍層為厚4.454um-5.344um的Sn層,厚度正常。圖片

 

大燈PTH上錫不良失效分析

 

大燈PTH上錫不良失效分析

 

(6)原物料(大小燈)可焊性分析

 

對LED燈pin腳進(jìn)行上錫性測試,結(jié)果顯示大小燈上錫OK。

 

大燈PTH上錫不良失效分析

 

(7)設(shè)計(jì)分析

 

不良都發(fā)生在大燈一側(cè)(如上圖),由大、小燈插件示意圖可知,大燈下端一側(cè)空隙較大,更容易導(dǎo)致掉錫而出現(xiàn)上錫不良。

 

大燈PTH上錫不良失效分析

 

PART.4結(jié)論及改善建議

 

(1)結(jié)論

 

孔壁側(cè)及元件側(cè)未發(fā)現(xiàn)不潤濕現(xiàn)象,兩側(cè)IMC厚度均偏薄,證明焊接熱量不足。

 

LED元件原物料pin腳上錫OK;

 

不良都發(fā)生在大燈一側(cè),推測與大燈的特殊插件方式有關(guān),加上焊接熱量不足,容易在孔底部空隙較大處產(chǎn)生空洞。

 

(2)改善建議

 

合理調(diào)節(jié)錫爐溫度及過爐時(shí)間,增加焊接熱量;

 

增加插件輔助治具,避免pin腳低端插斜。

 

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來源:Internet

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