中文字幕一级黄色A级片|免费特级毛片。性欧美日本|偷拍亚洲欧美1级片|成人黄色中文小说网|A级片视频在线观看|老司机网址在线观看|免费一级无码激情黄所|欧美三级片区精品网站999|日韩av超碰日本青青草成人|一区二区亚洲AV婷婷

當(dāng)摩爾定律逼近物理極限、先進(jìn)制程成本指數(shù)級(jí)飆升時(shí)，Chiplet將成為后摩爾時(shí)代的“破局者”，讓行業(yè)無(wú)需再孤注一擲地追求3nm、2nm等工藝節(jié)點(diǎn)。

晶圓代工龍頭臺(tái)積電是 Chiplet 工藝的全球領(lǐng)軍者，也是當(dāng)前業(yè)內(nèi)主流算力 芯片廠商的主要供應(yīng)商，因此我們將做著重介紹。

其于2021年將2.5D/3D先進(jìn) 封裝相關(guān)技術(shù)整合推出3DFabric平臺(tái)，由于Chiplet技術(shù)涉及芯片的堆疊，因此 臺(tái)積電將其命名為 3DFabric™技術(shù)，旗下?lián)碛?CoWoS、InFO、SoIC 三種封裝工藝，代表當(dāng)前 Chiplet 技術(shù)的三種主流形式。

Intel 和三星各自都有類(lèi)似的 2.5D/3D 封裝工藝，盡管命名不同，但結(jié)構(gòu)與臺(tái)積電方案類(lèi)似。

前段技術(shù) 3D SoIC 利用芯片間直接銅鍵合，具有更小間距；后段技術(shù) 2.5D 方面，CoWos 擴(kuò)展至三種不同轉(zhuǎn)接板技術(shù)，InFO 將封裝凸塊直接連接到再分配 層。

圖1.臺(tái)積電3Dfabric平臺(tái)

（1）CoWoS

2012 年臺(tái)積電與Xilinx共同開(kāi)發(fā)集成電路封裝解決方案CoWoS，該封裝技術(shù)已成為高性能和高功率設(shè)計(jì)的實(shí)際行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

CoWoS-S 采用硅中介層，可以為高性能計(jì)算應(yīng)用提供更高的性能和晶體管密度； 中介層面積可超過(guò) 1700mm2，封裝4個(gè)以上的HBM芯片，

圖2.CoWoS-S 示意圖

CoWoS-R采用RDL中介層， 利用InFO技術(shù)進(jìn)行互連，更強(qiáng)調(diào)小芯片間的互連，成本更低，可用于HBM和SOC 的異構(gòu)集成。；

圖3.CoWoS-R 示意圖

CoWoS-L融合CoWoS-S和InFO技術(shù)優(yōu)勢(shì)，中介層為RDL，在其中嵌入局部的硅橋，而非 CoWoS-S那樣的整塊硅Interposer。有利于在 SOC下方集成其他無(wú)源器件。

圖4.CoWoS-L 示意圖

英偉達(dá)、博通、谷歌、亞馬遜、NEC、 AMD、賽靈思、Habana等公司已廣泛采用CoWoS技術(shù)。

（2）InFO

2017年臺(tái)積電宣布2.5D封裝技術(shù)InFO（Integrated Fanout technology） 集成扇出晶圓級(jí)封裝。臺(tái)積電的InFO技術(shù)使用polyamide代替CoWoS中的硅中介層，降低了成本和封裝高度，促進(jìn)大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用。InFO 具有高密度的RDL，適用于移動(dòng)、高性能計(jì)算等需要高密度互連和性能的應(yīng)用。

InFO_PoP：FOWLP和Package on Package的結(jié)合體，下面 部分是FOWLP，而上面堆疊了一個(gè)DRAM芯片， DRAM的IO通過(guò)TIV (Through InFO Via)透過(guò)塑封 材料，連接下面的錫球。應(yīng)用于智能移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián) 網(wǎng)應(yīng)用。

InFO_oS：相比InFO_PoP增加封裝基板，利用 RDL將多個(gè)硅芯片和基板相連接。應(yīng)用于HPC、5G。

InFO_LSI：相比InFO_oS，在封裝基板內(nèi)嵌入了局部硅橋 （LSI），增加互連速度。類(lèi)似CoWoS-L。應(yīng)用于HPC。

（3）SoIC

2019 年臺(tái)積電推出 SoIC 技術(shù)，包括 chip-on-wafer（COW）和 wafer-on-wafer（WOW）兩種方案。

與CoWoS和InFO不同，前面兩種方案是在封裝環(huán)節(jié)將完成晶圓級(jí)封裝的邏輯芯片、HBM、Interposer等進(jìn)行堆疊，因此成為后道3D制造（Back End 3D Fabric）， 而SoIC是在前道晶圓制造環(huán)節(jié)，就在邏輯芯片上制造TSV通孔，并將邏輯芯片之間（或邏輯芯片的晶圓之間）進(jìn)行堆疊， 這個(gè)過(guò)程稱為前道3D 制造（Front End 3D Fabric），完成堆疊后的晶圓切割后可再進(jìn)行類(lèi)似InFO和CoWoS的后道封裝。因此，SoIC與InFO/CoWoS并非并列、替代關(guān)系，而是將InFO/CoWoS所用到的單顆SoC替換成了經(jīng)過(guò)3D堆疊的多顆SoC。

SoIC 是臺(tái)積電異構(gòu)小芯片封裝的關(guān)鍵，具有高密度垂直堆疊性能，與 CoWoS和InFO技術(shù)相比SoIC可以提供更高的封裝密度和更小的鍵合間隔。