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體偏壓是一把“雙刃劍”。它為現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)提供了在性能和功耗之間動態(tài)優(yōu)化的強(qiáng)大工具，但設(shè)計(jì)者必須仔細(xì)評估并緩解其帶來的可靠性風(fēng)險(xiǎn)，如熱載流子效應(yīng)、BTI以及設(shè)計(jì)復(fù)雜性等，才能確保芯片在整個生命周期內(nèi)的穩(wěn)定可靠。
2025/08/18 更新 分類：實(shí)驗(yàn)管理 分享
與體硅 CMOS 相比，F(xiàn)inFET 器件在抑制短溝道效應(yīng)、降低能耗、提升電源電壓可擴(kuò)展性以及提高導(dǎo)通/關(guān)斷電流比方面均表現(xiàn)更優(yōu)。
2025/08/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文主要介紹了：溶劑概述 ，溶劑的分類，溶劑效應(yīng)的定義，如何看出溶劑效應(yīng)，解析溶劑效應(yīng)及如何避免溶劑效應(yīng)。
2021/07/20 更新 分類：實(shí)驗(yàn)管理 分享
納米材料的6個基本效應(yīng)
2020/04/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文主要介紹了基質(zhì)效應(yīng)產(chǎn)生機(jī)理，基質(zhì)效應(yīng)的來源及規(guī)避基質(zhì)效應(yīng)的方法。
2021/12/28 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文主要介紹了溶劑概述，溶劑的分類，溶劑效應(yīng)的定義是啥，教你如何看出溶劑效應(yīng)，解析溶劑效應(yīng)，如何避免溶劑效應(yīng)及溶劑效應(yīng)的影響與應(yīng)用。
2021/09/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享
位錯理論主要應(yīng)用于固溶強(qiáng)化效應(yīng)，第二相粒子強(qiáng)化效應(yīng)，晶界強(qiáng)化效應(yīng)，加工硬化效應(yīng)等。
2019/11/18 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文介紹了液相色譜-串聯(lián)質(zhì)譜中的基質(zhì)效應(yīng)產(chǎn)生的原因及消除基質(zhì)效應(yīng)的方法。
2023/06/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文介紹了魏氏體與上貝氏體的判別
2022/11/21 更新 分類：科研開發(fā) 分享
粉體概述，粒度測試相關(guān)概念，粉體粒度分析方法
2018/10/25 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
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