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本文將簡單說明如何測量功耗并計(jì)算二極管和 IGBT 芯片的溫升。

2023/04/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享

2023年4月18日，歐盟委員會(huì)正式發(fā)布了基于生態(tài)設(shè)計(jì)指令2009/125/EC框架下電氣產(chǎn)品關(guān)機(jī)、待機(jī)等模式下生態(tài)設(shè)計(jì)要求新法規(guī)(EU) 2023/826。

2023/05/23 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

本文對(duì)芯片異常、鍵合內(nèi)引線異常、塑封應(yīng)力大、芯片表面刮花和變形、固晶生產(chǎn)工藝缺陷、芯片本身缺陷以及靜電引起的漏電問題進(jìn)行了全面地分析和闡述，并根據(jù)多年的工作經(jīng)驗(yàn)總結(jié)出了一些切實(shí)可行的解決辦法。

2022/02/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享

數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU（時(shí)鐘性能超過100MHZ）和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來越低

2019/03/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享

MOSFET 中的金屬柵極堆疊結(jié)構(gòu)通常由多層薄膜組成。每層薄膜都有其特定的作用，共同優(yōu)化晶體管的性能、功耗和可靠性。

2025/06/05 更新 分類：科研開發(fā) 分享

2008年12月17日，歐盟發(fā)布 辦公用電氣、電子設(shè)備的待機(jī)和關(guān)機(jī)模式功耗的生態(tài)設(shè)計(jì)要求，法規(guī)號(hào)為 (EC)No1275/2008，法規(guī)主要內(nèi)容如下： 一、適用范圍 該法規(guī)適用于家用和辦公用電氣、電

2015/07/23 更新 分類：其他 分享

2008 年 12 月 18 日 ，歐委會(huì)在其官方公報(bào) OJ L 339 第 45 至 52 頁公布了《委員會(huì)條例 (EC) No 1275/2008 ，就家用和辦公用電子電氣設(shè)備待機(jī)和關(guān)機(jī)模式電能消耗的生態(tài)設(shè)計(jì)要求，執(zhí)行歐洲議會(huì)

2015/08/27 更新 分類：其他 分享

阿根廷安全認(rèn)證體系根據(jù)92/98號(hào)決議建立，旨在管制額定電壓不超過交流1000伏或直流1500伏，功耗不超過5千伏安，額定電流不超過63安培的所有電氣產(chǎn)品。

2017/07/06 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

提到低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件，很多工程師同學(xué)肯定能首先想到肖特基二極管（SBD）。但是你真的會(huì)用肖特基二極管嗎？和其他的二極管比起來，肖特基二極管又有什么特別之處呢？

2021/03/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享

科研人員提出的基于8字型線圈和slinky基本結(jié)構(gòu)的鐵芯線圈系統(tǒng)優(yōu)化方法可用于改善鐵芯經(jīng)顱磁刺激線圈性能，降低功耗要求，并指導(dǎo)其他類型鐵芯經(jīng)顱磁刺激線圈的設(shè)計(jì)。

2022/04/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享