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本要求規(guī)定了多晶硅片的分類(lèi)、技術(shù)要求、包裝以及檢驗(yàn)規(guī)范等
2018/03/06 更新 分類(lèi):法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
雖然中國(guó)商務(wù)部對(duì)原產(chǎn)于歐盟的進(jìn)口多晶硅企業(yè)采取了雙反反傾銷(xiāo)、反補(bǔ)貼制裁,但近期海外多晶硅的進(jìn)口量依然創(chuàng)出新高,這也引起了國(guó)內(nèi)多晶硅同行的不滿(mǎn)。因此,四家多晶硅公司
2017/04/22 更新 分類(lèi):其他 分享
多晶硅(polycrystalline silicon)有灰色金屬光澤,密度2.32~2.34g/cm3。熔點(diǎn)1410℃。沸點(diǎn)2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間,室溫下質(zhì)脆,切
2018/02/09 更新 分類(lèi):法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
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2015/08/29 更新 分類(lèi):其他 分享
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2014 年,我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大,技術(shù)水平不斷提升,行業(yè)發(fā)展總體趨好。其中,多晶硅產(chǎn)量達(dá)到 13.2 萬(wàn)噸,同比增長(zhǎng) 57%; 多晶硅生產(chǎn)企業(yè)數(shù)量達(dá)到 18 家以上?;仡欀暗漠a(chǎn)業(yè)最低
2015/09/16 更新 分類(lèi):其他 分享
本文針對(duì)因多晶硅生長(zhǎng)初期固液界面“凹”造成的硅棒底部陰影,對(duì)多晶鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)及鑄錠工藝進(jìn)行了優(yōu)化,通過(guò)改動(dòng)鑄錠爐熱場(chǎng)中側(cè)面加熱器的位置,調(diào)整多晶硅長(zhǎng)晶初期固液界面,使熔體中雜質(zhì)由中心區(qū)域向四周擴(kuò)散,消除了硅棒底部陰影。
2021/05/01 更新 分類(lèi):科研開(kāi)發(fā) 分享
就在美對(duì)中國(guó)光伏二次雙反終裁處以 76.5%~203.76% 的超高稅率的同時(shí), 11 月份美國(guó)多晶硅利用中國(guó)的加工貿(mào)易政策出口中國(guó)翻倍增長(zhǎng)。 根據(jù)海關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì), 2014 年 11 月份我國(guó)多晶硅進(jìn)
2015/08/30 更新 分類(lèi):其他 分享
根據(jù)海關(guān)最新數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì), 2015 年 5 月份我國(guó)多晶硅進(jìn)口量為 11085 噸,在連續(xù)兩月破萬(wàn)噸的基礎(chǔ)上環(huán)比再度增加 1.7% 。 1~5 月份累計(jì)進(jìn)口多晶硅高達(dá) 49146 噸,比去年同期大幅增長(zhǎng) 35.1% ,
2015/09/26 更新 分類(lèi):其他 分享
與冶金級(jí)硅材料相比,用于太陽(yáng)能行業(yè)的多晶硅具有顯著更高的純度,通常為99.999%或以上的純度。殘留物是雜質(zhì),如C,O和微量元素,如Fe,Cu,Ni等。痕量污染物的數(shù)量取決于制造商、過(guò)程以及有時(shí)生產(chǎn)批次
2018/03/06 更新 分類(lèi):法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享