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  • 半導(dǎo)體前端工藝FEOL刻蝕技術(shù)

    在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，前端工藝（FEOL）是構(gòu)建晶體管結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而刻蝕技術(shù)作為 FEOL 中的核心工藝之一，對(duì)半導(dǎo)體器件的性能和制造精度起著至關(guān)重要的作用。

    2025/04/28 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

  • 半導(dǎo)體芯片標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的類(lèi)型、選擇標(biāo)準(zhǔn)和預(yù)特性

    析 ASIC 設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)單元，說(shuō)明 6T/9T/12T 高度含義，闡述其布局、性能面積權(quán)衡及應(yīng)用

    2025/09/22 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

  • 采用Intel-18A-帶FET技術(shù)的0.021μm2高密度SRAM，具有PowerVia背側(cè)功率傳輸

    在本論文中,英特爾展示了其采用18A RibbonFET CMOS技術(shù)的SRAM設(shè)計(jì),該設(shè)計(jì)運(yùn)用了PowerVia技術(shù)進(jìn)行背面供電,使用0.023μm2大電流(HCC)與0.021μm2高密度(HDC)存儲(chǔ)單元。

    2025/04/17 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

  • 半導(dǎo)體MOSFET中不同節(jié)點(diǎn)下的金屬間距

    當(dāng)晶體管還是平面結(jié)構(gòu)時(shí)，金屬間距仍然是一個(gè)非常重要的測(cè)量值，它指的是集成電路的一個(gè)特定尺寸。然而隨著發(fā)展，在新的 3D 架構(gòu)下，金屬間距已不再重要，因?yàn)橄?5 納米或 3 納米這樣的半導(dǎo)體邏輯節(jié)點(diǎn)不再指代金屬間距的一半。

    2025/08/19 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

  • 基于垂直架構(gòu)的新型二維半導(dǎo)體/鐵電多值存儲(chǔ)器研究獲進(jìn)展

    近日，中國(guó)科學(xué)院金屬研究所沈陽(yáng)材料科學(xué)國(guó)家研究中心與國(guó)內(nèi)多家單位合作，設(shè)計(jì)二維半導(dǎo)體與二維鐵電材料的特殊能帶對(duì)齊方式，將金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）與非隧穿型的鐵電憶阻器垂直組裝，首次構(gòu)筑了基于垂直架構(gòu)的門(mén)電壓可編程的二維鐵電存儲(chǔ)器。

    2022/11/30 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享