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本文討論了輝光放電發(fā)射光譜法的工作原理、一些實際應用以及以創(chuàng)新方式使用該技術的研究。最后，簡要介紹一下該技術存在的一些缺點。

2022/06/12 更新 分類：科研開發(fā) 分享

輝光離子氮化與氣體氮化相比具有氮化時間快、氮化層脆性小、節(jié)約氨氣用量等優(yōu)點，但實際生產中也存在著一些經常出現(xiàn)且不容易解決的問題。

2018/03/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享

中國科學院福建物質結構研究所中科院光電材料化學與物理重點實驗室研究員葉寧課題組受到高效的粉末倍頻測試方法之于非線性光學晶體探索的啟發(fā)，提出晶體電光系數(shù)的粉末測試方法，實現(xiàn)晶體電光性能的初步表征。

2020/09/27 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文圍繞電子設備靜電放電（ESD）問題，介紹其危害、ESD 抗擾度試驗的標準、分類、施加方法及接觸與空氣放電區(qū)別。

2025/11/20 更新 分類：科研開發(fā) 分享

有幾種非線性晶體已經被用作產生和探測太赫茲輻射，例如GaAs、GaP、InP、GaSe、LiNbO3和LiTaO3,然而，最常用的晶體是ZnTe（碲化鋅）

2018/09/21 更新 分類：科研開發(fā) 分享

近日，中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所制備出通信波段馬赫-曾德爾干涉儀型硅基鈮酸鋰高速電光調制器。

2024/04/01 更新 分類：科研開發(fā) 分享

靜電放電抗擾度測試方法，靜電放電抗擾度標準，靜電放電測試中的放電方式，靜電放電實驗室的型式測試

2020/06/11 更新 分類：法規(guī)標準 分享

本文介紹了靜電放電ESD試驗中接觸放電與空氣放電的區(qū)別。

2024/09/18 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文詳細介紹了靜電放電試驗分類、施加方法和接觸放電與空氣放電的區(qū)別等內容。

2025/07/06 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文基于NVIDIA工程師在ISTFA 2023上發(fā)表的權威論文，深度剖析了電光太赫茲脈沖反射計（EOTPR）這一前沿技術，如何被整合到芯片級FA工作流程中，并通過幾個真實的GPU失效案例，展示了EOTPR在解決復雜封裝和芯片內部故障中的獨特價值和高效性。

2025/11/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享