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本文討論了輝光放電發(fā)射光譜法的工作原理、一些實(shí)際應(yīng)用以及以創(chuàng)新方式使用該技術(shù)的研究。最后，簡要介紹一下該技術(shù)存在的一些缺點(diǎn)。

2022/06/12 更新 分類：科研開發(fā) 分享

輝光離子氮化與氣體氮化相比具有氮化時(shí)間快、氮化層脆性小、節(jié)約氨氣用量等優(yōu)點(diǎn)，但實(shí)際生產(chǎn)中也存在著一些經(jīng)常出現(xiàn)且不容易解決的問題。

2018/03/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享

中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所中科院光電材料化學(xué)與物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究員葉寧課題組受到高效的粉末倍頻測試方法之于非線性光學(xué)晶體探索的啟發(fā)，提出晶體電光系數(shù)的粉末測試方法，實(shí)現(xiàn)晶體電光性能的初步表征。

2020/09/27 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文圍繞電子設(shè)備靜電放電（ESD）問題，介紹其危害、ESD 抗擾度試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)、分類、施加方法及接觸與空氣放電區(qū)別。

2025/11/20 更新 分類：科研開發(fā) 分享

有幾種非線性晶體已經(jīng)被用作產(chǎn)生和探測太赫茲輻射，例如GaAs、GaP、InP、GaSe、LiNbO3和LiTaO3,然而，最常用的晶體是ZnTe（碲化鋅）

2018/09/21 更新 分類：科研開發(fā) 分享

近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所制備出通信波段馬赫-曾德爾干涉儀型硅基鈮酸鋰高速電光調(diào)制器。

2024/04/01 更新 分類：科研開發(fā) 分享

靜電放電抗擾度測試方法，靜電放電抗擾度標(biāo)準(zhǔn)，靜電放電測試中的放電方式，靜電放電實(shí)驗(yàn)室的型式測試

2020/06/11 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

本文介紹了靜電放電ESD試驗(yàn)中接觸放電與空氣放電的區(qū)別。

2024/09/18 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文詳細(xì)介紹了靜電放電試驗(yàn)分類、施加方法和接觸放電與空氣放電的區(qū)別等內(nèi)容。

2025/07/06 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文基于NVIDIA工程師在ISTFA 2023上發(fā)表的權(quán)威論文，深度剖析了電光太赫茲脈沖反射計(jì)（EOTPR）這一前沿技術(shù)，如何被整合到芯片級(jí)FA工作流程中，并通過幾個(gè)真實(shí)的GPU失效案例，展示了EOTPR在解決復(fù)雜封裝和芯片內(nèi)部故障中的獨(dú)特價(jià)值和高效性。

2025/11/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享