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在本論文中,英特爾展示了其采用18A RibbonFET CMOS技術(shù)的SRAM設(shè)計(jì),該設(shè)計(jì)運(yùn)用了PowerVia技術(shù)進(jìn)行背面供電,使用0.023μm2大電流(HCC)與0.021μm2高密度(HDC)存儲單元。

2025/04/17 更新 分類：科研開發(fā) 分享

此次臺積電發(fā)表了兩項(xiàng)研究成果：《采用后端RC優(yōu)化技術(shù)與遠(yuǎn)端寫入輔助方案的3納米工藝3.6GHz雙端口SRAM》、《基于2納米CMOS納米片技術(shù)的高密度能效SRAM（存儲密度達(dá)38.1Mb/mm2）。

2025/05/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享