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檢測(cè)項(xiàng):輸出低電平電壓(VOL) 檢測(cè)樣品:半導(dǎo)體集成電路數(shù)字集成電路 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體器件 集成電路第2部分:數(shù)字集成電路 GB/T17574-1998
機(jī)構(gòu)所在地:陜西省西安市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):輸出低電平電壓VOL 檢測(cè)樣品:CMOS 電路測(cè)試 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理 SJ/T10741-2000
檢測(cè)項(xiàng):輸出低電平電壓VOL 檢測(cè)樣品:TTL 電路測(cè)試 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路TTL電路測(cè)試方法的基本原理 SJ/T10735-1996
檢測(cè)項(xiàng):輸出低電平電壓VOL 檢測(cè)樣品:CMOS 電路測(cè)試 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理 SJ/T10741-2000 (GB 3834-1983)
機(jī)構(gòu)所在地:遼寧省沈陽市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):輸出低電平電壓VOL 檢測(cè)樣品:半導(dǎo)體集成電路TTL電路 標(biāo)準(zhǔn):SJ/T10735-1996 半導(dǎo)體集成電路TTL電路測(cè)試方法的基本原理
檢測(cè)項(xiàng):輸出低電平電壓VOL 檢測(cè)樣品:半導(dǎo)體集成電路CMOS電路 標(biāo)準(zhǔn):SJ/T10741-2000 半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理
機(jī)構(gòu)所在地:湖南省長沙市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):輸出低電平電壓Vol 檢測(cè)樣品:半導(dǎo)體集成電路(穩(wěn)壓器) 標(biāo)準(zhǔn):1.GB/T 4377-1996半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測(cè)試方法基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半導(dǎo)體器件 第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范
檢測(cè)項(xiàng):輸出低電平VOL 檢測(cè)樣品:半導(dǎo)體集成電路(數(shù)字集成電路) 標(biāo)準(zhǔn):1.SJ/T 10741-2000 半導(dǎo)體集成電路 CMOS電路測(cè)試方法的基本原理 2.GB/T 17574-1998半導(dǎo)體器件 集成電路 第2部分:數(shù)字集成電路 第IV篇 3.GB/T 16464-1996半導(dǎo)體器件 集成電路 第
機(jī)構(gòu)所在地:北京市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):功能及部分電參數(shù)測(cè)試 檢測(cè)樣品:集成電路: (TTL、CMOS、A/D、D/A、存儲(chǔ)器、接口、運(yùn)放、比較器、集成穩(wěn)壓器、電壓基準(zhǔn)等) 標(biāo)準(zhǔn):微電子器件試驗(yàn)方法和程序GJB548A-96 中4.5節(jié)及產(chǎn)品手冊(cè)要求
檢測(cè)項(xiàng):輸出低電平電壓VOL 檢測(cè)樣品:模擬集成電路 標(biāo)準(zhǔn):GB/T6798-1996《半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測(cè)試方法的基本原理》 GB3442-1986 《半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算(電壓)放大器測(cè)試方法的基本原理》
檢測(cè)項(xiàng):輸出低電平電壓VOL 檢測(cè)樣品:模擬/混合集成電路 標(biāo)準(zhǔn):GB/T 6798-1996 半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測(cè)試方法的基本原理 GB/T 17940-2000半導(dǎo)體器件集成電路 第3部分 模擬集成電路 GB/T4377-1996 半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測(cè)試方法的基本原理 GB/T 14028-199
機(jī)構(gòu)所在地:河南省洛陽市 更多相關(guān)信息>>
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