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檢測(cè)項(xiàng):直流增益 檢測(cè)樣品:晶體管 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 方法3076.1
機(jī)構(gòu)所在地:陜西省西安市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):天線(xiàn)增益 檢測(cè)樣品:移動(dòng)通信天線(xiàn) 標(biāo)準(zhǔn):移動(dòng)通信天線(xiàn)通用技術(shù)規(guī)范 GB/T 9410-2008 IEEE天線(xiàn)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)流程 ANSI/IEEE Std 149-1979
檢測(cè)項(xiàng):TRM/CA/12/C(藍(lán)牙EDR差分相位編碼測(cè)試) 檢測(cè)樣品:經(jīng)典藍(lán)牙設(shè)備 標(biāo)準(zhǔn):藍(lán)牙特別工作組(SIG) 射頻 測(cè)試套件結(jié)構(gòu)(TSS)和測(cè)試目的(TP)規(guī)范 1.2/2.0/2.0+EDR/2.1/2.1+ EDR/3.0+HS/4.0/4.1 RF.TS.4.1.0(2013)
機(jī)構(gòu)所在地:廣東省深圳市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):增益 檢測(cè)樣品:移動(dòng)通信系統(tǒng)基站天線(xiàn) 標(biāo)準(zhǔn):1.《移動(dòng)通信系統(tǒng)基站天線(xiàn)技術(shù)條件》 YD/T 1059-2004 2.《天線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試程序》 IEEE Std 149TM-1979(R2008)
檢測(cè)項(xiàng):增益 檢測(cè)樣品:移動(dòng)通信室內(nèi)信號(hào)分布系統(tǒng)天線(xiàn) 標(biāo)準(zhǔn):1.《移動(dòng)通信室內(nèi)信號(hào)分布系統(tǒng)天線(xiàn)技術(shù)條件》 GB/T 21195-2007 2.《天線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試程序》 IEEE Std 149TM-1979(R2008)
檢測(cè)項(xiàng):增益 檢測(cè)樣品:TD-SCDMA數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)智能天線(xiàn) 標(biāo)準(zhǔn):1.《TD-SCDMA數(shù)字蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)智能天線(xiàn) 第1部分:天線(xiàn)》 YD/T 1710.1-2007 2.《天線(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試程序》 IEEE Std 149TM-1979(R2008)
機(jī)構(gòu)所在地:廣東省廣州市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):開(kāi)環(huán)電壓增益 檢測(cè)樣品:半導(dǎo)體集成電路電壓比較器 標(biāo)準(zhǔn):GB/T6798-1996 半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測(cè)試方法的基本原理
檢測(cè)項(xiàng):開(kāi)環(huán)電壓增益 檢測(cè)樣品:晶體三極管 標(biāo)準(zhǔn):GB/T4587-1994 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分:雙極型晶體管
檢測(cè)項(xiàng):開(kāi)環(huán)電壓增益 檢測(cè)樣品:半導(dǎo)體集成電路電壓比較器 標(biāo)準(zhǔn):GB/T6798-1996 《半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測(cè)試方法的基本原理》
機(jī)構(gòu)所在地:江蘇省連云港市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):部分項(xiàng)目 檢測(cè)樣品:**船用全球定位系統(tǒng)(GPS)接收設(shè)備 標(biāo)準(zhǔn):船用全球定位系統(tǒng)(GPS)接收機(jī)通用技術(shù)條件 GB/T 15527-1995
機(jī)構(gòu)所在地:上海市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):開(kāi)環(huán)電壓增益 檢測(cè)樣品:模擬集成電路 標(biāo)準(zhǔn):GB/T4377-1996 《半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測(cè)試方法的基本原理》 GB/T 14028-1992 《半導(dǎo)體集成電路模擬開(kāi)關(guān)測(cè)試方法的基本原理》
機(jī)構(gòu)所在地:北京市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):開(kāi)環(huán)電壓增益AVD 檢測(cè)樣品:半導(dǎo)體集成電路TTL電路 標(biāo)準(zhǔn):SJ/T10735-1996《半導(dǎo)體集成電路TTL電路測(cè)試方法的基本原理》
檢測(cè)項(xiàng):增益 檢測(cè)樣品:天線(xiàn) 標(biāo)準(zhǔn):QJ1729A-1996《航天天線(xiàn)測(cè)試方法》 CB1338-1998 《艦船通信天線(xiàn)技術(shù)要求》 GB/T 9410-2008 《移動(dòng)通信天線(xiàn)通用技術(shù)規(guī)范》 CB1189-2008 《船用超短波通信天線(xiàn)電性能基本技術(shù)要求和測(cè)量方法》
機(jī)構(gòu)所在地:湖北省武漢市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):傳聲增益 檢測(cè)樣品:軟件產(chǎn)品 標(biāo)準(zhǔn):軟件工程 軟件產(chǎn)品質(zhì)量要求與評(píng)價(jià)(SQuaRE) 商業(yè)現(xiàn)貨(COTS)軟件產(chǎn)品的質(zhì)量要求和測(cè)試細(xì)則 GB/T 25000.51-2010
機(jī)構(gòu)所在地:山東省濟(jì)南市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):開(kāi)環(huán)電壓增益 檢測(cè)樣品:電工電子產(chǎn)品/核安全級(jí)電氣設(shè)備 標(biāo)準(zhǔn):電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A:低溫 GB/T 2423.1-2008
檢測(cè)項(xiàng):開(kāi)環(huán)電壓增益 檢測(cè)樣品:電工電子產(chǎn)品/核安全級(jí)電氣設(shè)備 標(biāo)準(zhǔn):(1)電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A:低溫 GB/T 2423.1-2008
檢測(cè)項(xiàng):增益誤差 檢測(cè)樣品:光電耦合器 標(biāo)準(zhǔn):GJB 33A-1997 半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范 GB/T 15651-1995 半導(dǎo)體器件分立器件 第5部分 光電子器件
檢測(cè)項(xiàng):開(kāi)環(huán)電壓增益 檢測(cè)樣品:模擬集成電路 標(biāo)準(zhǔn):GJB 597A-1996 半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范 GB/T 17940-2000 半導(dǎo)體器件 集成電路 第3部分:模擬集成電路 GB/T 6798-1996 半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測(cè)試方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半導(dǎo)體集成電路電壓
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