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檢測項:微分電阻 檢測樣品:雙極型晶體管 標準:GB/T4587-1994 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分:雙極型晶體管 第Ⅳ章2.1條 第Ⅳ章2.2條 第Ⅳ章3條 第Ⅳ章4.2條
機構(gòu)所在地:江蘇省南京市
檢測項:開環(huán)電壓增益 檢測樣品:電壓比較器 標準:半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理GB/T6798-1996
檢測項:開環(huán)電壓增益 檢測樣品:電壓比較器 標準:半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理GB/T6798-1996
機構(gòu)所在地:四川省成都市
檢測項:增益 檢測樣品:WCDMA移動通信直放機 標準:ETSI TS 125.143《通用移動通信系統(tǒng);UTRA直放站一致性測試》
檢測項:增益調(diào)節(jié)范圍 檢測樣品:SCDMA無線接入基站 標準:信部無函[2003]408號文件《關(guān)于擴展1800MHz無線接入系統(tǒng)使用頻段的通知》
檢測項:增益控制范圍 檢測樣品:監(jiān)測/測向接收機 標準:GJB 2089-94《通信對抗偵察接收機技術(shù)參數(shù)測試方法》
機構(gòu)所在地:北京市
檢測項:全部項目 檢測樣品:信息技術(shù)設(shè)備 標準:電聲學(xué) 助聽器 第2部分:具有自動增益控制電路的助聽器 GB/T 25102.2-2010
機構(gòu)所在地:北京市
檢測項:開環(huán)電壓增益 檢測樣品:運算放大器 標準:半導(dǎo)體集成電路電壓比較器 測試方法的基本原理 GB/T 6798-1996
檢測項:開環(huán)電壓增益 檢測樣品:CMOS電路 標準:半導(dǎo)體集成電路CMOS電路 測試方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
機構(gòu)所在地:湖北省武漢市
檢測項:增益控制范圍 檢測樣品:數(shù)字式搜索 接收機 標準:GJB 4268-2001 通信對抗數(shù)字式搜索接收機通用規(guī)范
檢測項:輻射特性 檢測樣品:鹽霧試驗設(shè)備 標準:GB/T5170.8-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備檢驗方法鹽霧試驗設(shè)備
機構(gòu)所在地:浙江省嘉興市
檢測項:增益 檢測樣品:移動通信直流穩(wěn)壓電源 標準:GB/T 13722-1992 移動通信電源技術(shù)要求和試驗方法
機構(gòu)所在地:廣東省廣州市