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檢測(cè)項(xiàng):漏源極截止電流IDSS 檢測(cè)樣品:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體器件分立器件第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997
檢測(cè)項(xiàng):靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻RDS 檢測(cè)樣品:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體器件分立器件第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997
檢測(cè)項(xiàng):漏源擊穿電壓 V(BR)DSS 檢測(cè)樣品:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體器件分立器件第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997
機(jī)構(gòu)所在地:湖北省孝感市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):靜態(tài)漏—源通態(tài)電阻 檢測(cè)樣品:場(chǎng)效應(yīng)管 標(biāo)準(zhǔn):GJB 33A-1997 半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范 GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體器件 分立器件第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管
檢測(cè)項(xiàng):靜態(tài)漏—源通態(tài)電阻 檢測(cè)樣品:二極管 標(biāo)準(zhǔn):GJB 33A-1997 半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范 GB/T 4023-1997 半導(dǎo)體器件:分立器件和集成電路第2部分:整流二極管 GB/T 6571-1995 半導(dǎo)體器件 分立器件 第3部分:信號(hào)(包括開(kāi)關(guān))和調(diào)整二極管
檢測(cè)項(xiàng):漏極截止電流 檢測(cè)樣品:場(chǎng)效應(yīng)管 標(biāo)準(zhǔn):GJB 33A-1997 半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范 GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體器件 分立器件第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管
機(jī)構(gòu)所在地:上海市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻 檢測(cè)樣品:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 標(biāo)準(zhǔn):GB/T4586-1994半導(dǎo)體分立器件分立器件第8部分場(chǎng)效應(yīng)晶體管
檢測(cè)項(xiàng):反向漏過(guò)電流 檢測(cè)樣品:開(kāi)關(guān)二極管 標(biāo)準(zhǔn):GB/T6571-1995第3部分信號(hào)(包括開(kāi)關(guān))和調(diào)整二極管
檢測(cè)項(xiàng):反向漏過(guò)電流 檢測(cè)樣品:穩(wěn)壓二極管 標(biāo)準(zhǔn):GB/T6571-1995半導(dǎo)體器件分立器件 第3部分信號(hào)(包括開(kāi)關(guān))和調(diào)整二極管
機(jī)構(gòu)所在地:江蘇省南京市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):漏源通態(tài)電阻RDSon 檢測(cè)樣品:光耦合器 標(biāo)準(zhǔn):1.GB/T15651.3-2003半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-3部分:光電子器件測(cè)試方法 2.GB12565-1990半導(dǎo)體器件光電子器件分規(guī)范
檢測(cè)項(xiàng):漏源通態(tài)電壓VDSon 檢測(cè)樣品:光耦合器 標(biāo)準(zhǔn):1.GB/T15651.3-2003半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-3部分:光電子器件測(cè)試方法 2.GB12565-1990半導(dǎo)體器件光電子器件分規(guī)范
檢測(cè)項(xiàng):漏極電流IDSon 檢測(cè)樣品:光耦合器 標(biāo)準(zhǔn):1.GB/T15651.3-2003半導(dǎo)體分立器件和集成電路第5-3部分:光電子器件測(cè)試方法 2.GB12565-1990半導(dǎo)體器件光電子器件分規(guī)范
機(jī)構(gòu)所在地:北京市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):漏-源短路時(shí),柵極截止電流IGSS 檢測(cè)樣品:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 標(biāo)準(zhǔn):1、GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體器件第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2、GB/T 20516-2006 半導(dǎo)體器件 分立器件 第4部分:微波器件
檢測(cè)項(xiàng):漏-源電壓VDSon 檢測(cè)樣品:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 標(biāo)準(zhǔn):1、GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體器件第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2、GB/T 20516-2006 半導(dǎo)體器件 分立器件 第4部分:微波器件
檢測(cè)項(xiàng):柵-源短路時(shí)的漏極電流IDSS 檢測(cè)樣品:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 標(biāo)準(zhǔn):1、GB/T 4586-1994 半導(dǎo)體器件第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2、GB/T 20516-2006 半導(dǎo)體器件 分立器件 第4部分:微波器件
機(jī)構(gòu)所在地:河北省石家莊市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):漏-源擊穿電壓 檢測(cè)樣品:晶體管 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法GJB128A-1997 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GB/T4586-1994
檢測(cè)項(xiàng):漏極電流 檢測(cè)樣品:晶體管 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法GJB128A-1997 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GB/T4586-1994
檢測(cè)項(xiàng):C、Si、Mn、P 、S、Cr、Ni、W、Mo、V、Al、Ti、Cu、Nb、Co、Sn化學(xué)含量 檢測(cè)樣品:黑色 金屬 標(biāo)準(zhǔn):碳素鋼和中低合金鋼 火花源原子發(fā)射光譜分析方法(常規(guī)法) GB/T 4336-2002
檢測(cè)項(xiàng):漏源通態(tài)電阻(rDS(on)) 檢測(cè)樣品:場(chǎng)效應(yīng)管 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場(chǎng)效應(yīng)晶體管 GB/T4586-94 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB128A-97
檢測(cè)項(xiàng):漏源通態(tài)電壓(VDS(on)) 檢測(cè)樣品:光電 耦合器 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分 雙極型晶體管 GB/T 4587-94 半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 第2部分:整流二極管 GB/T 4023-1997 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB128A-97 半導(dǎo)體分
檢測(cè)項(xiàng):漏源擊穿電壓(BVDSS) 檢測(cè)樣品:光電 耦合器 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分 雙極型晶體管 GB/T 4587-94 半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 第2部分:整流二極管 GB/T 4023-1997 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB128A-97 半導(dǎo)體分
機(jī)構(gòu)所在地:陜西省西安市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):電性能 檢測(cè)樣品:電玩具 標(biāo)準(zhǔn):供兒童使用的電動(dòng)玩具或其他電動(dòng)物品的要求 16 CFR 1505 (2011)
檢測(cè)項(xiàng):電性能 檢測(cè)樣品:電玩具 標(biāo)準(zhǔn):電玩具的安全 GB 19865-2005
檢測(cè)項(xiàng):電性能 檢測(cè)樣品:電玩具 標(biāo)準(zhǔn):標(biāo)準(zhǔn)消費(fèi)者安全規(guī)範(fàn): 玩具安全 ASTM F963 – 08
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檢測(cè)項(xiàng):漏磁檢測(cè) 檢測(cè)樣品:金屬制品 標(biāo)準(zhǔn):《鋼管漏磁探傷方法》GB/T12606-1999 《無(wú)損檢測(cè) 常壓金屬儲(chǔ)罐漏磁檢測(cè)方法》JB/T 10765-2007
檢測(cè)項(xiàng):光譜檢測(cè) 檢測(cè)樣品:金屬制品 標(biāo)準(zhǔn):《不銹鋼 多元素含量的測(cè)定 火花電原子發(fā)射光譜法(常規(guī)法)》GB11170-2008 《鋼鐵及合金光電發(fā)射光譜分析法通則》GB/T14203-1993 《碳素鋼和中低合金鋼火花源原子發(fā)射光譜分析方法》GB/T4336-2002
機(jī)構(gòu)所在地:浙江省杭州市 更多相關(guān)信息>>
檢測(cè)項(xiàng):漏磁檢測(cè) 檢測(cè)樣品:金屬材料及其金屬制品 標(biāo)準(zhǔn):無(wú)損檢測(cè)常壓金屬儲(chǔ)罐漏磁檢測(cè)方法 JB/T 10765-2007 鋼管漏磁探傷方法 GB/T 12606-1999
檢測(cè)項(xiàng):C、Si、Mn、P、S、Cr、Mo、Ni、Cu、Nb、V、Ti、B、Al 檢測(cè)樣品:金屬材料及其金屬制品 標(biāo)準(zhǔn):碳素鋼和中低合金鋼 火花源原子發(fā)射光譜分析方法 (常規(guī)法) GB/T 4336-2002
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