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凈化產(chǎn)品中能效比的檢測

檢測項：能效比 檢測樣品：凈化產(chǎn)品 標準：空氣凈化器能效限定值及能效等級 GB 36893-2018 6.1.1

檢測機構：國家化妝品檢測中心 更多相關信息>>

北京賽迪君信電子產(chǎn)品檢測實驗室有限公司

檢測項：電流傳輸比hF (ctr) 檢測樣品：晶閘管 標準：GB∕T 15291-1994半導體器件 第6部分：晶閘管

檢測項：正電源電壓抑制比KSVR+ 檢測樣品：半導體集成電路（穩(wěn)壓器） 標準：1.GB/T 4377-1996半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半導體器件 第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范

檢測項：負電源電壓抑制比KSVR- 檢測樣品：半導體集成電路（穩(wěn)壓器） 標準：1.GB/T 4377-1996半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半導體器件 第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范

機構所在地：北京市 更多相關信息>>

上海精密計量測試研究所

檢測項：電流傳輸比hF(ctr) 檢測樣品：光電耦合器 標準：GB/T15651-1995 半導體器件分立器件和集成電路第5部分：光電子器件

檢測項：電流傳輸比hF(ctr) 檢測樣品：光電耦合器 標準：GB/T15651-1995 半導體器件分立器件和集成電路第5部分：光電子器件

檢測項：電源電壓抑制比KSVR 檢測樣品：三端穩(wěn)壓電源（電壓調(diào)整器） 標準：GB/T4377-1996 半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法的基本原理

機構所在地：上海市 更多相關信息>>

貴州航天計量測試技術研究所

檢測項：電流傳輸比hF(ctr) 檢測樣品：光電耦合器 標準：《半導體器件分立器件和集成電路第5部分：光電子器件》GB/T 15651-1995 《半導體分立器件試驗方法》GJB 128A-1997

檢測項：電源電壓抑制比KSVR 檢測樣品：A/D 、D/A轉(zhuǎn)換器 標準：《半導體集成非線性電路數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器和模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器測試方法》 SJ/T 10818-1996

檢測項：電源電壓抑制比KSVR 檢測樣品：模擬開關 標準：《半導體集成電路模擬開關測試方法的基本原理》GB/T 14028-1992

機構所在地：貴州省貴陽市 更多相關信息>>

中國電子科技集團公司第十三研究所檢測中心

檢測項：電流傳輸比hF(ctr) 檢測樣品：雙極型晶體管 標準：GB/T 4587-1994 半導體分立器件和集成電路 第七部分：雙極型晶體管

檢測項：電流傳輸比hF(ctr) 檢測樣品：雙極型晶體管 標準：1、GB/T 4587-1994 半導體分立器件和集成電路 第七部分：雙極型晶體管 2、GJB 2650-1996 微波元器件性能測試方法

檢測項：初始光通量 檢測樣品：反射型自鎮(zhèn)流LED燈 標準：1、GB/T 29295-2012 反射型自鎮(zhèn)流LED燈性能測試方法 2、GB/T 29296-2012 反射型自鎮(zhèn)流LED燈 性能要求

機構所在地：河北省石家莊市 更多相關信息>>

湖南航天管理局計量檢測中心

檢測項：電流傳輸比hF(ctr) 檢測樣品：光電耦合器 標準：GB/T15651-1995 半導體器件分立器件和集成電路第5部分：光電子器件

檢測項：電流傳輸比hF(ctr) 檢測樣品：光電耦合器 標準：GB/T15651-1995 半導體器件分立器件和集成電路第5部分：光電子器件

檢測項：電源電壓抑制比KSVR 檢測樣品：三端穩(wěn)壓電源（電壓調(diào)整器） 標準：GB/T4377-1996 半導體集成電路電壓調(diào)整器測試方法的基本原理

機構所在地：湖南省長沙市 更多相關信息>>

北京尊冠科技有限公司

檢測項：電流傳輸比CTR 檢測樣品：晶閘管 標準：GB/T15291－94《半導體器件 第6部分 晶閘管》

檢測項：機房能效比 檢測樣品：電子計算機機房 標準：GB 50174-2008 電子信息系統(tǒng)機房設計規(guī)范

檢測項：電源電壓抑制比KSVR 檢測樣品：電壓比較器 標準：GB/T 6798－1996《半導體集成電路 電壓比較器測試方法的基本原理》

機構所在地：北京市 更多相關信息>>

武漢中原電子集團有限公司計量檢測中心

檢測項：電流傳輸比hF(ctr) 檢測樣品：光電耦合器 標準：半導體分立器件和集成電路 第5-2部分：光電子器件 基本額定值和特性 GB/T 15651.2-2003

檢測項：電源電壓抑制比 檢測樣品：運算放大器 標準：半導體集成電路電壓比較器 測試方法的基本原理 GB/T 6798-1996

檢測項：電源電壓抑制比 檢測樣品：CMOS電路 標準：半導體集成電路CMOS電路 測試方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

機構所在地：湖北省武漢市 更多相關信息>>

陜西省電子技術研究所電子元器件檢測篩選中心

檢測項：電流傳輸比（CTR） 檢測樣品：電容器 標準：電子設備用固定電容器 第1部分：總規(guī)范 GB/T 2693-2001

檢測項：電源電壓抑制比(PSRR) 檢測樣品：半導體集成電路電壓調(diào)整器 標準：半導體集成電路 電壓調(diào)整器測試方法的基本原理 GB/T4377-1996

檢測項：紋波抑制比 (SRIP) 檢測樣品：半導體集成電路電壓調(diào)整器 標準：半導體集成電路 電壓調(diào)整器測試方法的基本原理 GB/T4377-1996

機構所在地：陜西省西安市 更多相關信息>>

中國船舶重工集團公司第七二二研究所計量檢測中心

檢測項：電流傳輸比CTR 檢測樣品：光電耦合器 標準：GB╱T15651-1995 《半導體器件 分立器件第5部分： 光電子器件》 GB／T6571-1995《半導體分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半導體器件分立器件第7部分雙極型晶體管》第Ⅳ章

檢測項：前后比 檢測樣品：電阻器、電容器 標準：GJB360B－2009《電子及電氣元件試驗》方法

檢測項：電源電壓抑制比KSVR 檢測樣品：半導體集成電路TTL電路 標準：SJ/T10735-1996《半導體集成電路TTL電路測試方法的基本原理》

機構所在地：湖北省武漢市 更多相關信息>>