海思HAST測試技術(shù)規(guī)范V1.2(5頁)
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海思HAST測試技術(shù)規(guī)范V1.2(5頁)
適用范圍:
該試驗(yàn)檢查芯片長期貯存條件下,高溫和時間對器件的影響。本規(guī)范適用于量產(chǎn)芯片驗(yàn)證測試階段的HAST測試需求,僅針對非密封封裝(塑料封裝),帶偏置bHAST)和不帶偏置(uHAST)的測試。
簡介:
該試驗(yàn)通過溫度、濕度、大氣壓力加速條件,評估非密封封裝器件在上電狀態(tài)下,在高溫、高壓、潮濕環(huán)境中的可靠性。它采用了嚴(yán)格的溫度,濕度,大氣壓、電壓條件,該條件會加速水分滲透到材料內(nèi)部與金屬導(dǎo)體之間的電化學(xué)反應(yīng)。
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科研開發(fā)
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2022-06-23
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電子電氣
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