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海思芯片ESD & Latch-up 測(cè)試技術(shù)規(guī)范（25頁(yè)）

• 資料介紹

  海思芯片ESD & Latch-up 測(cè)試技術(shù)規(guī)范（25頁(yè)）

  適用范圍:
  本規(guī)范規(guī)定了ESD&LatchUp測(cè)試的具體流程以及相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，適用于量產(chǎn)的項(xiàng)目芯片的ESD &Latch Up評(píng)估。
   
  簡(jiǎn)介:
  ESD測(cè)試主要用于評(píng)估芯片的抗ESD電壓水平?？笶SD電壓低的芯片容易在生產(chǎn)、運(yùn)輸、安裝的過(guò)程中，出現(xiàn)大量芯片的失效。LatchUp測(cè)試主要用于評(píng)估芯片的抗閂鎖能力?？归T(mén)鎖能力低的芯片在應(yīng)用過(guò)程中，輸入電流或者電壓的波動(dòng)很容易造成芯片內(nèi)部出現(xiàn)閂鎖失效。ESD&LatchUp測(cè)試是芯片量產(chǎn)前的關(guān)鍵測(cè)試，是判斷芯片能否量產(chǎn)的主要判據(jù)。
   

• 資料大?。?/label>
  1719.66KB
• 所屬類(lèi)別：
  實(shí)驗(yàn)管理
• 更新日期：
  2022-06-23
• 適用行業(yè)：
  電子電氣
• 上傳人：
  Simonx
• 標(biāo) 簽：

  芯片 海思 ESD Latch-up

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