b 追加高導(dǎo)電性屏蔽罩,并使屏蔽罩單點(diǎn)接地能有效的抑制低頻電場(chǎng)干擾。
c 追加濾波器可減小兩電路間的耦合量。
d 降低輸入阻抗,例如CMOS電路的輸入阻抗很高,對(duì)電場(chǎng)干擾極其敏感,可在允許范圍內(nèi)在輸入端并接一個(gè)電容或阻值較低的電阻。 磁場(chǎng)耦合的物理模型是電感耦合,其耦合主要是通過(guò)線間的分布互感來(lái)耦合的,因此整改的主要方法是破壞或減小其耦合量,大體可采用如下的方法:
a 追加濾波器,在追加濾波器時(shí)要注意濾波器的輸入輸出阻抗及其頻率響應(yīng)。
b 減小敏感回路與源回路的環(huán)路面積,即盡量使信號(hào)線或載流線與其回線靠近或扭絞在一體。
c 增大兩電路間距,以便減小線間互感來(lái)減低耦合量。
d 若有可能,盡量使敏感回路與源回路平面正交或接近正交來(lái)降低兩電路的耦合量。
e 用高導(dǎo)磁材料來(lái)包扎敏感線,可有效的解決磁場(chǎng)干擾問(wèn)題,值得注意的是要構(gòu)成閉和磁路,努力減小磁路的磁阻將會(huì)更加有效。
b 正確選擇接地點(diǎn)及合理的形狀,最好是屏蔽體直接接地。 磁場(chǎng)屏蔽通常只是指對(duì)直流或甚低頻磁場(chǎng)的屏蔽,其屏蔽效能遠(yuǎn)不如電場(chǎng)屏蔽和電磁屏蔽,磁屏蔽往往是工程的重點(diǎn),磁屏蔽時(shí):
a 要選用鐵磁性材料。
b 磁屏蔽體要遠(yuǎn)離有磁性的元件,防止磁短路。
c 可采用雙層屏蔽甚至三層屏蔽。
d 屏蔽體上邊的開(kāi)孔要注意開(kāi)孔的方向,盡可能使縫的長(zhǎng)邊平行于磁通流向,使磁路長(zhǎng)度增加最少。一般來(lái)說(shuō),磁屏蔽不需要接地,但為防止電場(chǎng)感應(yīng),還是接地為好。電磁場(chǎng)在通過(guò)金屬或?qū)﹄姶艌?chǎng)有衰減作用的阻擋體時(shí),會(huì)受到一定程度的衰減,即產(chǎn)生對(duì)電磁場(chǎng)的屏蔽作用。在實(shí)際的整改過(guò)程中視具體需要而定選擇何種屏蔽及屏蔽體的形狀、大小、接地方式等。
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