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  • 擊穿電壓、擊穿強(qiáng)度和耐電壓測定

    擊穿電壓、擊穿強(qiáng)度和耐電壓測定目的要求、實(shí)驗(yàn)原材料和儀器設(shè)備、實(shí)驗(yàn)步驟

    2017/10/27 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

  • 擊穿電壓的影響因素有哪些？

    電壓擊穿指的是電介質(zhì)在足夠強(qiáng)的電場作用下將失去其介電性能成為導(dǎo)體，稱為電介質(zhì)擊穿，所對應(yīng)的電壓稱為擊穿電壓。

    2016/09/21 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

  • 擊穿電壓的主要影響因素有哪些

    本文主要介紹了擊穿電壓的主要影響因素有哪些

    2022/05/12 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • MOSFET雪崩擊穿特性參數(shù)

    雪崩擊穿參數(shù)是MOS管在關(guān)斷狀態(tài)能承受過壓能力的指標(biāo)，電壓超過漏源極限電壓將導(dǎo)致器件處在雪崩狀態(tài)。

    2025/02/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • MOSFET管的靜態(tài)參數(shù)

    MOS管靜態(tài)參數(shù)指標(biāo)包含：漏-源擊穿電壓V(BR)DSS、開啟電壓VTH、漏-源飽和漏電流IDSS、柵-源驅(qū)動電流或反向電流IGSS、導(dǎo)通電阻RDS(on)、柵源擊穿電壓VGS。

    2024/11/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 固體絕緣材料的擊穿電壓測試方法

    本文介紹了固體絕緣材料的擊穿電壓測試方法

    2023/01/31 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 電氣性能檢測 電氣性能檢測標(biāo)準(zhǔn)

    介電強(qiáng)度，在連續(xù)升高的電壓下電極間試樣被擊穿時電壓與試樣厚度之比，單位KV/mm（2）

    2018/09/14 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

  • 抗電強(qiáng)度絕緣耐壓試驗(yàn)簡介

    抗電強(qiáng)度絕緣耐壓試驗(yàn)對于考核設(shè)備的絕緣能力以及結(jié)構(gòu)在電壓應(yīng)力下的耐擊穿能力是必須檢測的項(xiàng)目之一。

    2018/10/25 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

  • TVS的工作原理、關(guān)鍵參數(shù)和選型！

    TVS(Transient Voltage Suppressors，瞬態(tài)電壓抑制器)又稱雪崩擊穿二極管，是一種高效電路保護(hù)器件，主要是保護(hù)電路不受瞬態(tài)高壓尖峰脈沖(靜電或雷擊浪涌)的沖擊。

    2024/07/25 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 絕緣耐壓試驗(yàn)的受試部位在哪兒？

    耐壓測試主要評估各類電氣設(shè)備在規(guī)定的電壓或瞬時高壓條件下是否發(fā)生擊穿或損壞。

    2025/12/12 更新 分類：科研開發(fā) 分享