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本文對(duì)BEoL階段的與時(shí)間相關(guān)的電介質(zhì)擊穿（TDDB）模型進(jìn)行研究。

2024/10/27 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文對(duì)因溫度循環(huán)和熱沖擊導(dǎo)致的界面失效模型進(jìn)行研究

2024/11/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

近日，日本半導(dǎo)體行業(yè)正在迎來一個(gè)重要的里程碑，Rapidus公司成為日本首家獲得極紫外(EUV)光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司。

2024/12/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了P型半導(dǎo)體的MOS電容器典型的電容-電壓特性。

2025/02/11 更新 分類：科研開發(fā) 分享

一般來說，我們所知道的半導(dǎo)體制造的八大工藝分別為：晶圓加工、氧化、光刻、刻蝕、沉積、金屬互連、測(cè)試和封裝。

2025/04/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享

西安交通大學(xué)楊樹明教授提出的《如何解決三維半導(dǎo)體芯片中納米結(jié)構(gòu)測(cè)量難題？》，分析了三維半導(dǎo)體芯片未來發(fā)展對(duì)測(cè)量技術(shù)的需求，探索了大深寬比納米結(jié)構(gòu)測(cè)量的最新發(fā)展方向，研究了大長徑比納米探針技術(shù)在新一代半導(dǎo)體芯片測(cè)量中的可行性。

2021/08/03 更新 分類：科研開發(fā) 分享

近日，中國科學(xué)院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家研究中心與國內(nèi)多家單位合作，設(shè)計(jì)二維半導(dǎo)體與二維鐵電材料的特殊能帶對(duì)齊方式，將金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）與非隧穿型的鐵電憶阻器垂直組裝，首次構(gòu)筑了基于垂直架構(gòu)的門電壓可編程的二維鐵電存儲(chǔ)器。

2022/11/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享

ESD是半導(dǎo)體器件最常見的失效機(jī)理。電路設(shè)計(jì)時(shí)要充分考慮被防護(hù)器件的抗靜電能力并合理選擇ESD防護(hù)器件，以避免被防護(hù)器件在貼裝、測(cè)試、轉(zhuǎn)運(yùn)、應(yīng)用過程中遭受ESD損傷的風(fēng)險(xiǎn)。

2025/09/12 更新 分類：檢測(cè)案例 分享

最早的有機(jī)激光器可以追溯到1964年對(duì)有機(jī)染料激光器的研究，到現(xiàn)在開始對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體激光器的研究，這之中的幾十年已經(jīng)取得了不少突破性的進(jìn)展。隨著社會(huì)科學(xué)技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，有機(jī)激光器在科學(xué)研究和眾多的社會(huì)生活領(lǐng)域的應(yīng)用將會(huì)越來越廣泛。

2018/10/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享

2023年6月5日，美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院NIST發(fā)布《半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中的計(jì)量差距：建立芯片研發(fā)計(jì)量計(jì)劃的第一步》報(bào)告。

2023/06/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享