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目前三星半導體和LCD工廠有200多名前員工患上了嚴重疾病，其中至少76人已經死亡。
2016/08/12 更新 分類：熱點事件 分享
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
2018/10/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享
FIB系統(tǒng)廣泛用于制備電路元件截面，以便電子顯微鏡等儀器的后續(xù)分析。
2023/03/31 更新 分類：檢測案例 分享
中國科學院微電子研究所微電子器件與集成技術重點實驗室劉明院士團隊從理論方面提出了載流子的“集體輸運效應”（collective transport）的物理機制。
2023/05/11 更新 分類：行業(yè)研究 分享
本文對因溫度循環(huán)和熱沖擊導致的疲勞失效模型進行研究
2024/11/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文對因高溫導致的金屬間化合物和氧化失效模型進行研究
2024/11/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文將帶您了解如何通過DPA分析技術，像"火眼金睛"一樣識別這些假冒偽劣器件。
2025/09/05 更新 分類：科研開發(fā) 分享
0.2nm 將到來，最新芯片路線圖發(fā)布
2025/12/30 更新 分類：法規(guī)標準 分享
本文主要講了芯片測試概述，芯片測試流程及測試中的問題。
2021/06/29 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文對FEoL階段的相變（PCM）非易失性存儲器數據保持模型進行研究
2024/10/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享
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