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意法半導(dǎo)體推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)，在功率效率、功率密度和穩(wěn)健性方面樹立了新的標(biāo)桿。

2024/09/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享

總結(jié)分析后挑選出了2025年全球半導(dǎo)體將出現(xiàn)或高速發(fā)展的10大技術(shù)趨勢，本文將探討這些先進(jìn)技術(shù)的發(fā)展方向和市場前景。

2024/12/19 更新 分類：行業(yè)研究 分享

為了讓這篇文章具有一定閱讀價(jià)值，首先簡單介紹一下半導(dǎo)體鍍膜的相關(guān)知識，基礎(chǔ)的薄膜制備方法包含熱蒸發(fā)和濺射法兩類。

2025/06/21 更新 分類：科研開發(fā) 分享

全球半導(dǎo)體市場在 2014 年 9.9% 的高速增長后， 2015 年全球半導(dǎo)體市場出現(xiàn)下滑，根據(jù) SIA 公布的最新數(shù)據(jù)， 2015 年全球半導(dǎo)體市場銷售額 3352 億美元，同比下降了 0.2% 。 全球半導(dǎo)體市場

2016/03/21 更新 分類：行業(yè)研究 分享

近日，國家質(zhì)檢總局、國家標(biāo)準(zhǔn)委批準(zhǔn)發(fā)布了《半導(dǎo)體照明設(shè)備和系統(tǒng)的光輻射安全測試方法》國家標(biāo)準(zhǔn)

2018/04/13 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

目前三星半導(dǎo)體和LCD工廠有200多名前員工患上了嚴(yán)重疾病，其中至少76人已經(jīng)死亡。

2016/08/12 更新 分類：熱點(diǎn)事件 分享

MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。

2018/10/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

半導(dǎo)體材料氧化鎵的性能潛力及面臨的挑戰(zhàn)。

2021/03/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文主要講了芯片測試概述，芯片測試流程及測試中的問題。

2021/06/29 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了晶體結(jié)構(gòu),晶面與晶向,晶體中的缺陷,晶體中的雜質(zhì),生長單晶硅及單晶硅性能測試。

2021/08/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享