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由于電流是由于電荷的流動(dòng)而產(chǎn)生的，因此在這個(gè)過程中，確定半導(dǎo)體中可用于傳導(dǎo)的電子和空穴的數(shù)量是一個(gè)重要步驟?？捎糜趥鲗?dǎo)過程的載流子數(shù)量是可用量子態(tài)的數(shù)量以及其中被占據(jù)的數(shù)量的函數(shù)。

2025/07/25 更新 分類：科研開發(fā) 分享

當(dāng)晶體管還是平面結(jié)構(gòu)時(shí)，金屬間距仍然是一個(gè)非常重要的測(cè)量值，它指的是集成電路的一個(gè)特定尺寸。然而隨著發(fā)展，在新的 3D 架構(gòu)下，金屬間距已不再重要，因?yàn)橄?5 納米或 3 納米這樣的半導(dǎo)體邏輯節(jié)點(diǎn)不再指代金屬間距的一半。

2025/08/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享

ESD是半導(dǎo)體器件最常見的失效機(jī)理。電路設(shè)計(jì)時(shí)要充分考慮被防護(hù)器件的抗靜電能力并合理選擇ESD防護(hù)器件，以避免被防護(hù)器件在貼裝、測(cè)試、轉(zhuǎn)運(yùn)、應(yīng)用過程中遭受ESD損傷的風(fēng)險(xiǎn)。

2025/09/12 更新 分類：檢測(cè)案例 分享

金屬及半導(dǎo)體納米粒子由于具有獨(dú)特的光、電、磁或催化性能，受到化學(xué)、材料領(lǐng)域的廣泛關(guān)注

2018/06/01 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文主要介紹了中國新材料發(fā)展趨勢(shì)：輕量化材料，航空航天材料及半導(dǎo)體材料。

2022/04/04 更新 分類：行業(yè)研究 分享

本文介紹了功率半導(dǎo)體，功率循環(huán)測(cè)試及功率循環(huán)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。

2022/09/24 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

本文介紹了環(huán)形振蕩器工作原理。

2025/04/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

ASM設(shè)備EFO Parameter參數(shù)介紹更新。

2025/11/15 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文簡(jiǎn)要地說明了半導(dǎo)體內(nèi)存封裝工藝。

2025/12/27 更新 分類：科研開發(fā) 分享

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，華芯半導(dǎo)體是目前國內(nèi)唯一一家能夠自主完成垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）和藍(lán)光半導(dǎo)體激光器芯片外延及芯片工藝制造，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的高科技公司

2018/09/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享