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  • 混合集成電路的失效模式和失效機理

    混合集成電路（HIC）的主要失效模式包括厚薄布線基板及互連失效、元器件與布線基板焊接/黏結(jié)失效、內(nèi)引線鍵合失效、基板與金屬外殼焊接失效、氣密封裝失效和功率電路過熱失效等。

    2021/06/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 國內(nèi)外集成電路裝備現(xiàn)狀分析

    本文結(jié)合全球集成電路裝備產(chǎn)業(yè)鏈條，解析全球及我國集成電路裝備的技術(shù)體系及競爭態(tài)勢。分析發(fā)現(xiàn)，我國集成電路裝備發(fā)展快速，但仍短板明顯，應進一步夯實基礎，加快提升創(chuàng)新步伐。

    2021/07/02 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 電路板污染物典型腐蝕分析及防護

    在以往研究的基礎上，本文結(jié)合電路板大氣污染物防護的實際問題，從電路板典型腐蝕失效和保護涂層的涂覆薄弱點入手，探討電路板類產(chǎn)品應對大氣污染物的具體防護措施。

    2021/12/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 混合信號電路PCB的分區(qū)設計及元器件的布局、布線

    混合信號電路PCB的設計很復雜，元器件的布局、布線以及電源和地線的處理將直接影響到電路性能和電磁兼容性能。本文介紹的地和電源的分區(qū)設計能優(yōu)化混合信號電路的性能。

    2023/02/10 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 塑封集成電路開蓋流程與方法

    塑封集成電路開蓋的質(zhì)量是塑封集成電路失效分析能夠成功的關(guān)鍵，本文將介紹幾種常見的塑封集成電路開蓋流程與方法，并提供主流的芯片開蓋化學配方。

    2024/11/15 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 內(nèi)阻很小的MOS管為什么會發(fā)熱

    本文介紹了MOSFET的擊穿有哪幾種，如何處理mos管小電流發(fā)熱嚴重情況，MOS管為什么可以防止電源反接及MOS管功率損耗測量。

    2022/05/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 采用集成FET設計的EMI抑制技術(shù)

    本文主要介紹這些方面的內(nèi)容，專門聚焦于帶有集成功率 MOSFET 和控制器的轉(zhuǎn)換器解決方案，提供抑制 EMI 的實例和應用指導。

    2023/03/21 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 表面貼裝MOSFET產(chǎn)品上線芯片碎裂失效分析

    通過對經(jīng)過SMT工藝試驗的產(chǎn)品抽樣進行超聲掃描，發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品載片區(qū)（PAD）與模塑料之間存在較為嚴重的離層現(xiàn)象

    2024/02/23 更新 分類：檢測案例 分享

  • 逆變器MOS或者IGBT選型對EMC的影響

    逆變器中使用的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）或IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）的選型對電磁兼容性（EMC）有顯著影響。

    2024/06/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • MOSFET雪崩擊穿特性參數(shù)

    雪崩擊穿參數(shù)是MOS管在關(guān)斷狀態(tài)能承受過壓能力的指標，電壓超過漏源極限電壓將導致器件處在雪崩狀態(tài)。

    2025/02/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享