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  • 電磁兼容通用標準新國標GB17799.3-2023變化解讀

    強制性國家標準GB 17799.3-2023《電磁兼容 通用標準 第3部分:居住環(huán)境中設(shè)備的發(fā)射》已于2023年12月28日發(fā)布,將于2024年7月1日正式實施。

    2024/07/19 更新 分類:法規(guī)標準 分享

  • 基于加速萃取的仿真飾品中鎳釋放量快速預報方法

    本文通過對標準方法中遷移溫度、汗液酸度、遷移液體積、遷移時間等試驗條件進行研究,提出了電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法測定仿真飾品中鎳釋放量的快速篩查方法。

    2024/07/29 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 日本無線產(chǎn)品認證-TELEC/MIC認證

    日本無線產(chǎn)品TELEC/MIC認證是針對帶有無線發(fā)射功能產(chǎn)品的強制性認證,旨在確保這些設(shè)備符合日本的無線電法規(guī)要求,以保證其在日本無線通信網(wǎng)絡(luò)中的正常運行。

    2024/08/20 更新 分類:法規(guī)標準 分享

  • 產(chǎn)品GJB151B電磁兼容RE101和RE102整改策略

    軍品RE101通常指的是軍用設(shè)備的電磁兼容性(EMC)測試中的輻射發(fā)射(RE)測試項目。以下是針對軍品RE101不符合要求時的整改措施。

    2025/02/12 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 超結(jié)MOSFET寄生電容非線性對EMI的影響分析與優(yōu)化

    超結(jié)MOSFET除傳統(tǒng)平面MOSFET EMC問題產(chǎn)生原因之外,其反向傳輸電容CRSS電容、輸出COSS電容的非線性是高頻寄生振蕩產(chǎn)生的重要原因,也是導致輻射發(fā)射測試不通過的重要因素之一。

    2025/02/16 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法測定高砷鉛煙灰中銦的含量

    本文研究的高砷鉛煙灰成分并不復雜,采用體積比1∶3的鹽酸-硝酸混合溶液將其溶解至透亮,以鉻為內(nèi)標,ICP-AES測定高砷鉛煙灰中銦的含量。

    2025/02/25 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 射線無損檢測的物理基礎(chǔ):關(guān)于工業(yè)檢測用放射源的特性

    在工業(yè)無損檢測領(lǐng)域,有一種門類稱為:射線檢測(Radiographic Testing),簡稱RT,常用于檢測各種熔化焊接方法(電弧焊、氣體保護焊、電渣焊、氣焊等)的對接接頭。

    2015/03/28 更新 分類:實驗管理 分享

  • ICP-OES知識要點大匯總

    本文主要匯總了ICP-OES知識要點:ICP-原子發(fā)射光譜發(fā)展,ICP-AES原理及構(gòu)成,定性、定量方法,測試的基本原理,定性和定量分析,測試的優(yōu)點,為什么要采用氬氣為工作氣體,測量的有效波長范圍是多少,對樣品有什么要求及ICP-OES和ICP-MS的異同。

    2022/04/19 更新 分類:實驗管理 分享

  • 關(guān)鍵信號為什么不能放置在PCB板邊緣

    在PCB設(shè)計過程中,有一項重要的任務是從發(fā)射和抗擾度這兩個角度去分辨哪些是關(guān)鍵信號。對于發(fā)射類,需要重點關(guān)注的信號有,時鐘信號,高 dv/dt 或 高di/dt 信號,以及射頻RF信號等。對于抗擾類,需關(guān)注的重點信號有,復位、中斷和低電平模擬信號等。識別出這些信號后,請避免將它們靠近電路板邊緣進行布線。

    2022/10/11 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 用GTEM小室做電磁兼容測試產(chǎn)品的輻射抗擾度和輻射騷擾發(fā)射的測量試驗

    這里介紹的 GETM小室又稱吉赫芝(GHz)橫電磁波室則是近十幾年才發(fā)展起來的新型電磁兼容測試設(shè)備,它的工作頻率范圍可以從直流至數(shù) GHz以上,內(nèi)部可用場區(qū)較大,尤其可貴的是小室本身與其配套設(shè)備的總價不算過于昂貴,能為大多數(shù)企業(yè)所接受。

    2022/12/29 更新 分類:科研開發(fā) 分享