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國(guó)產(chǎn)元器件在工程應(yīng)用中也暴露出諸多問題,特別是在元器件的質(zhì)量問題及可靠性方面,電子元器件的可靠性是其最基礎(chǔ)和核心的標(biāo)準(zhǔn),對(duì)于電子設(shè)備產(chǎn)品質(zhì)量有直接影響。
2020/04/23 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
通過本文的總結(jié),幫助大家對(duì)鈣鈦礦單晶器件制備中如何解決兩個(gè)問題即“鈣鈦礦單晶薄膜在器件中的集成”和“鈣鈦礦單晶薄膜的厚度控制”有概括性的了解。
2021/04/08 更新 分類:科研開發(fā) 分享
器件替代時(shí)要注意哪些技術(shù)問題呢,是不是宣稱與某國(guó)外大廠家對(duì)標(biāo)的等同替換器件,就可以直接拿來用呢且可以高枕無憂呢?
2021/06/23 更新 分類:科研開發(fā) 分享
本文主要介紹了元器件失效都有哪些,在安排測(cè)試篩選先后次序時(shí)的方案,決定元器件測(cè)試篩選先后次序的原則,篩選方案的設(shè)計(jì)原則,元器件篩選方案的制訂原則及幾種常用的篩選項(xiàng)目。
2022/02/09 更新 分類:科研開發(fā) 分享
問:想了解下對(duì)PCB板上元器件的溫升怎么判別?比如電池包保護(hù)板上的一些元器件的溫升限值;4706上并沒有給出明確的元器件溫升限值。
2023/04/05 更新 分類:科研開發(fā) 分享
本文介紹了ESD的標(biāo)準(zhǔn)以及測(cè)試方法,根據(jù)靜電的產(chǎn)生方式以及對(duì)電路的損傷模式不同通常分為四種測(cè)試方式:人體放電模式(HBM: Human-Body Model)、機(jī)器放電模式(Machine Model)、元件充電模式(CDM: Charge-Device Model)、電場(chǎng)感應(yīng)模式(FIM: Field-Induced Model),但是業(yè)界通常使用前兩種模式來測(cè)試(HBM, MM)。
2021/09/07 更新 分類:科研開發(fā) 分享
以銅、鎳金屬為正負(fù)電極,采用超聲輔助電火花放電(EDM)法合成Cu-Ni合金粉體,研究了超聲功率(0,500,1000,1500W)對(duì)合金粉體晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌和粒徑分布的影響。
2023/03/13 更新 分類:檢測(cè)案例 分享
盡管HBM模型和IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)所模擬的ESD來源都是外部帶靜電的人體或物體,但兩種標(biāo)準(zhǔn)面向的被放電的具體對(duì)象是不同的,并且他們的測(cè)試要求有幾個(gè)最重要的差別值得注意。
2023/04/26 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
依據(jù)基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)GB/T17626.2標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了四個(gè)測(cè)試等級(jí)和1個(gè)開放測(cè)試等級(jí)。具體選擇哪個(gè)測(cè)試等級(jí)依據(jù)產(chǎn)品所應(yīng)用的行業(yè)領(lǐng)域以及某些特定的場(chǎng)景要求所共同確定。
2024/01/12 更新 分類:科研開發(fā) 分享
本文對(duì)列車上實(shí)際使用發(fā)生失效的繼電器進(jìn)行宏觀及微觀的分析,確定其失效模式及其失效的機(jī)理。同時(shí)對(duì)繼電器進(jìn)行可靠性評(píng)估,可靠性試驗(yàn)過程中定期檢測(cè)樣品的各項(xiàng)電性能參數(shù),評(píng)估各電性能參數(shù)的變化情況,確定繼電器的可靠性等級(jí),同時(shí)在各個(gè)參數(shù)的合理使用范圍內(nèi),評(píng)估繼電器的剩余使用壽命。
2022/05/24 更新 分類:科研開發(fā) 分享