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中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十七研究所計(jì)量檢測(cè)中心

機(jī)構(gòu)所在地：河南省鄭州市更多相關(guān)信息>>

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中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十四研究所檢測(cè)/試驗(yàn)中心

檢測(cè)項(xiàng)：輸入高電平電壓檢測(cè)樣品：CMOS電路標(biāo)準(zhǔn)：SJ/T10741-2000半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理第5.2節(jié)

檢測(cè)項(xiàng)：輸入低電平電壓檢測(cè)樣品：CMOS電路標(biāo)準(zhǔn)：SJ/T10741-2000半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理第5.2節(jié)

檢測(cè)項(xiàng)：輸出高電平電壓檢測(cè)樣品：CMOS電路標(biāo)準(zhǔn)：SJ/T10741-2000半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理第5.2節(jié)

機(jī)構(gòu)所在地：江蘇省南京市更多相關(guān)信息>>

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中達(dá)電子（江蘇）有限公司分析實(shí)驗(yàn)室

檢測(cè)項(xiàng)：VGS(off): 柵-源截止電壓/VGS(th):閾值電壓檢測(cè)樣品：電子電氣產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)：電子電氣產(chǎn)品中限用的六種物質(zhì)（鉛、汞、鎘、六價(jià)鉻、多溴聯(lián)苯、多溴聯(lián)苯醚）的測(cè)定IEC 62321 -2008

檢測(cè)項(xiàng)：IDSX:漏極關(guān)斷電流/IDS*:漏極漏電流檢測(cè)樣品：電子電氣產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)：電子電氣產(chǎn)品中限用的六種物質(zhì)（鉛、汞、鎘、六價(jià)鉻、多溴聯(lián)苯、多溴聯(lián)苯醚）的測(cè)定IEC 62321 -2008

檢測(cè)項(xiàng)：VFM: 正向峰值電壓檢測(cè)樣品：雙極型晶體管標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第7部分:雙極型晶體管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

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東莞建瑋電子制品有限公司實(shí)驗(yàn)室

檢測(cè)項(xiàng)：鉛檢測(cè)樣品：電子電氣產(chǎn)品中聚合物材料的限用物質(zhì) 標(biāo)準(zhǔn)：電子電氣產(chǎn)品中限用的六種物質(zhì)的濃度的測(cè)定程序 IEC62321-2008/第8條

檢測(cè)項(xiàng)：汞檢測(cè)樣品：電子電氣產(chǎn)品中聚合物材料的限用物質(zhì) 標(biāo)準(zhǔn)：電子電氣產(chǎn)品中限用的六種物質(zhì)的濃度的測(cè)定程序 IEC62321-2008/第7條

檢測(cè)項(xiàng)：鉛檢測(cè)樣品：電子電氣產(chǎn)品中電子裝置的限用物質(zhì) 標(biāo)準(zhǔn)：電子電氣產(chǎn)品中限用的六種物質(zhì)的濃度的測(cè)定程序 IEC62321-2008/第10條

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上海華嶺集成電路技術(shù)股份有限公司檢測(cè)中心

檢測(cè)項(xiàng)：?jiǎn)?dòng)過沖檢測(cè)樣品：CMOS集成電路標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998

檢測(cè)項(xiàng)：?jiǎn)?dòng)延遲檢測(cè)樣品：CMOS集成電路標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998

檢測(cè)項(xiàng)：開關(guān)頻率檢測(cè)樣品：CMOS集成電路標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體器件集成電路第2部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998

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快特電波科技(蘇州)有限公司檢測(cè)中心

檢測(cè)項(xiàng)：抗電強(qiáng)度測(cè)試檢測(cè)樣品：信息技術(shù) 設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)：信息技術(shù)設(shè)備安全性：一般要求 GB 4943-2001;GB4943.1-2011; IEC 60950-1:2001; EN 60950-1:2001 +A11:2004; IEC60950-1:2005; IEC60950-1:2005 +A1:

檢測(cè)項(xiàng)：輻射騷擾檢測(cè)樣品：信息技術(shù)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)：信息技術(shù)設(shè)備的抗擾度限值和測(cè)量方法 GB/T 17618-1998； IEC/CISPR 24:2010； EN 55024:2010

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中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所檢測(cè)中心

檢測(cè)項(xiàng)：輸入鉗位電壓檢測(cè)樣品：電子元器件標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.1條

檢測(cè)項(xiàng)：輸入高電平電壓檢測(cè)樣品：電子元器件標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.2條

檢測(cè)項(xiàng)：輸入高電平電壓檢測(cè)樣品：電子元器件標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.3條

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立德國(guó)際公證香港有限公司

檢測(cè)項(xiàng)：電性能檢測(cè)樣品：電玩具標(biāo)準(zhǔn)：供兒童使用的電動(dòng)玩具或其他電動(dòng)物品的要求 16 CFR 1505 (2011)

檢測(cè)項(xiàng)：電性能檢測(cè)樣品：電玩具標(biāo)準(zhǔn)：電玩具的安全 GB 19865-2005

檢測(cè)項(xiàng)：電性能檢測(cè)樣品：電玩具標(biāo)準(zhǔn)：標(biāo)準(zhǔn)消費(fèi)者安全規(guī)範(fàn): 玩具安全 ASTM F963 – 08

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武漢中原電子集團(tuán)有限公司計(jì)量檢測(cè)中心

檢測(cè)項(xiàng)：輸入失調(diào)電流檢測(cè)樣品：CMOS電路標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

檢測(cè)項(xiàng)：輸入偏置電流檢測(cè)樣品：CMOS電路標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

檢測(cè)項(xiàng)：開環(huán)電壓增益檢測(cè)樣品：CMOS電路標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

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湖北航天技術(shù)研究院計(jì)量測(cè)試技術(shù)研究所

檢測(cè)項(xiàng)：靜態(tài)參數(shù) 檢測(cè)樣品：CMOS電路標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

檢測(cè)項(xiàng)：動(dòng)態(tài)參數(shù) 檢測(cè)樣品：CMOS電路標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

檢測(cè)項(xiàng)：功能檢測(cè)樣品：CMOS電路標(biāo)準(zhǔn)：半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測(cè)試方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

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中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十四研究所檢測(cè)/試驗(yàn)中心

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湖北航天技術(shù)研究院計(jì)量測(cè)試技術(shù)研究所

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