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破壞性物理分析（Destructive Physical Analysis）簡(jiǎn)稱(chēng)為DPA，是為了驗(yàn)證元器件的設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、材料和制造質(zhì)量是否滿足預(yù)定用途或有關(guān)規(guī)范的要求，按元器件的生產(chǎn)批次進(jìn)行抽樣，對(duì)元器件樣品進(jìn)行非破壞性分析和破壞性分析的一系列檢驗(yàn)和分析的全過(guò)程。

2022/10/09 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

針對(duì)航天元器件研制的現(xiàn)狀，提出提升航天元器件質(zhì)量與可靠性的建議與思路：以統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)為基本保證，提高元器件設(shè)計(jì)的可靠性；建立元器件型譜規(guī)劃，做好面向未來(lái)應(yīng)用的前期驗(yàn)證工作；加強(qiáng)應(yīng)用驗(yàn)證和用戶(hù)試用，通過(guò)信息系統(tǒng)建設(shè)實(shí)現(xiàn)資源共享；以過(guò)程確認(rèn)文件（PID）的建設(shè)為依托，快速提升研制廠商的過(guò)程控制能力；鼓勵(lì)新技術(shù)在航天元器件上的應(yīng)用，做好技術(shù)狀態(tài)控

2020/11/20 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

電子元器件是支撐信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，也是保障產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全穩(wěn)定的關(guān)鍵，為加快電子元器件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)高級(jí)化、產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化，促進(jìn)我國(guó)信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，工業(yè)和信息化部近日印發(fā)了《基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃（2021—2023年）》。

2021/02/02 更新 分類(lèi)：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

本文主要介紹了電阻器的主要失效模式與失效機(jī)理，失效模式占失效總比例及失效機(jī)理分析。

2021/08/03 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

本文介紹了MOSFET的失效機(jī)理：dV/dt失效和雪崩失效

2022/11/10 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

今天主要介紹一下電感的失效模式與機(jī)理

2020/09/04 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

本文主要介紹了芯片失效分析的主要步驟及芯片失效的難題。

2021/12/09 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

下面針對(duì)飛機(jī)液壓導(dǎo)管的裂紋故障，通過(guò)失效分析確定失效機(jī)理和失效原因，進(jìn)而確定無(wú)損檢測(cè)的重點(diǎn)部位。

2024/05/23 更新 分類(lèi)：檢測(cè)案例 分享

SiP組件的失效模式主要表現(xiàn)為硅通孔（TSV）失效、裸芯片疊層封裝失效、堆疊封裝（PoP）結(jié)構(gòu)失效、芯片倒裝焊失效等，這些SiP的高密度封裝結(jié)構(gòu)失效是導(dǎo)致SiP產(chǎn)品性能失效的重要原因。

2021/04/29 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

PCBA焊點(diǎn)失效機(jī)理之熱致失效。

2025/09/06 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享