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IP防護(hù)等級(jí)認(rèn)證外殼防塵防水試驗(yàn)主要采用中文標(biāo)準(zhǔn)GB/T4208-2017外殼防護(hù)等級(jí)（IP代碼）進(jìn)行試驗(yàn)，等同采用英文標(biāo)準(zhǔn)IEC60529:2013。外殼防塵防水試驗(yàn)IP防護(hù)等級(jí)認(rèn)證主要適用于產(chǎn)品額定電壓在72.5V以內(nèi)的戶外電氣設(shè)備。
2021/02/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文介紹了一種可同時(shí)用作DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4存儲(chǔ)器總線電壓的低壓終端調(diào)整器芯片設(shè)計(jì)，可以為DDR存儲(chǔ)器提供一套完整的低功耗解決方案。
2021/04/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文通過功率MOSFET管的工作特性，結(jié)合失效分析圖片中不同的損壞形態(tài)，系統(tǒng)的分析過電流損壞和過電壓損壞，同時(shí)，根據(jù)損壞位置不同，分析功率MOSFET管的失效是發(fā)生在開通的過程中，還是發(fā)生在關(guān)斷的過程中，從而為設(shè)計(jì)工程師提供一些依據(jù)，來找到系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一些問題，提高電子系統(tǒng)的可靠性。
2021/11/15 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文通過一個(gè)設(shè)備在技術(shù)開發(fā)階段遇到的質(zhì)量問題，比較兩種模式：腔體結(jié)構(gòu)的電壓耦合量是無腔體結(jié)構(gòu)的9.34倍，由此可以得出我的結(jié)論腔體結(jié)構(gòu)對(duì)靜電電荷有很大的耦合功功能和放大的結(jié)論。
2021/12/28 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文在加速電壓為120kV、聚焦電流為2460mA、焊接電流為12mA條件下，采用真空電子束對(duì)3mm厚304不銹鋼板進(jìn)行焊接，研究了焊接速度(10~40mm·s-1)對(duì)接頭顯微組織和力學(xué)性能的影響。
2022/01/18 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文描述了符合IEC 61010-1:2010+AMD1:2016產(chǎn)品在完成制造后的例行檢驗(yàn)測(cè)試要求。該測(cè)試有助于識(shí)別制造中功能測(cè)試可能檢查不到的故障或不可接受的公差。
2022/03/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享
最近接到很多廠家的電磁兼容EMC測(cè)試要求，電磁兼容的檢測(cè)項(xiàng)目都是常規(guī)項(xiàng)目，只是產(chǎn)品本身的電壓和電流比較特殊，有的是AC380V,有的是DC690V，還有的是AC690V，但它的上電工作電流是非常大的，基本上都在20多安培到30多安培。
2022/10/29 更新 分類：科研開發(fā) 分享
輸入阻抗（input impedance)是指一個(gè)電路輸入端的等效阻抗。在輸入端上加上一個(gè)電壓源U，測(cè)量輸入端的電流I，則輸入阻抗Rin就是U/I。你可以把輸入端想象成一個(gè)電阻的兩端，這個(gè)電阻的阻值，就是輸入阻抗。
2022/12/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享
GB4943.1-2011標(biāo)準(zhǔn)適用于電網(wǎng)電源供電的或電池供電的、額定電壓不超過600V的信息技術(shù)設(shè)備，包括電氣食物設(shè)備和與之相關(guān)的設(shè)備。
2022/12/28 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
近日，廈門大學(xué)孫世剛院士團(tuán)隊(duì)和寧德時(shí)代新能源魏奕民博士等人圍繞高鎳材料NCM811氧釋放現(xiàn)象，針對(duì)NCM811在過充條件下進(jìn)行了多尺度分析，模擬了突發(fā)的大電流充電行為導(dǎo)致電池電壓急劇上升的過程。
2023/02/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享
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