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逆變器中使用的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)或IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的選型對(duì)電磁兼容性(EMC)有顯著影響。
2024/06/14 更新 分類:科研開發(fā) 分享
在EMC整改過程中,RC snubber電路(也稱為RC吸收電路)常用于抑制開關(guān)器件的電壓尖峰和高頻振蕩,進(jìn)而改善電路的電磁兼容性。
2024/08/14 更新 分類:科研開發(fā) 分享
電壓跌落試驗(yàn)(DIP)是電磁兼容性(EMC)測試中的一項(xiàng)重要內(nèi)容,旨在評(píng)估電氣和電子設(shè)備在電源電壓突然下降時(shí)的性能穩(wěn)定性和適應(yīng)性。
2024/11/09 更新 分類:科研開發(fā) 分享
網(wǎng)絡(luò)流傳烏茲別克斯坦技術(shù)監(jiān)管局發(fā)布的警告信顯示,零跑C16未能通過其關(guān)于電磁兼容性(EMC)的檢測,這一事件瞬間將零跑汽車推向了輿論的風(fēng)口浪尖。
2025/04/12 更新 分類:監(jiān)管召回 分享
在當(dāng)今高密度電子設(shè)計(jì)中,電磁兼容性(EMC)已成為決定產(chǎn)品成敗的關(guān)鍵指標(biāo)。
2025/08/26 更新 分類:科研開發(fā) 分享
文章分析了電磁兼容問題的基本分類、電磁兼容現(xiàn)象的危害,以及醫(yī)用電子設(shè)備的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)基本要求。
2019/05/06 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
隨著產(chǎn)品復(fù)雜性和密集度的提高以及設(shè)計(jì)周期的不斷縮短,在設(shè)計(jì)周期的后期解決電磁兼容性(EMC)問題變得越來越不切合實(shí)際。在較高的頻率下,你通常用來計(jì)算EMC的經(jīng)驗(yàn)法則不再適用,而且你還可能容易誤用這些經(jīng)驗(yàn)法則。
2018/07/13 更新 分類:科研開發(fā) 分享
圍繞GJB151A.97標(biāo)準(zhǔn)的主要規(guī)定,結(jié)合十多年來從事電磁兼容性設(shè)計(jì)和試驗(yàn)的軍用電子設(shè)備在各種安裝平臺(tái)上的實(shí)踐,提供一些實(shí)用的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn),有利于使試驗(yàn)項(xiàng)目達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。
2025/09/21 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
文章分析了電磁兼容問題的基本分類、電磁兼容現(xiàn)象的危害,以及醫(yī)用電子設(shè)備的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)基本要求。
2018/09/10 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
【問】本公司設(shè)計(jì)開發(fā)的醫(yī)療器械預(yù)期與其他廠家的器械產(chǎn)品進(jìn)行配合使用,已經(jīng)對(duì)其配合使用的性能進(jìn)行了研究,并在說明書中做了相關(guān)規(guī)定。請(qǐng)問與其他器械產(chǎn)品聯(lián)合使用的兼容性是否應(yīng)該納入產(chǎn)品技術(shù)要求?
2024/12/23 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享