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  • 一文講清非晶、準(zhǔn)晶、孿晶、納米晶、單晶、晶界……

    本文介紹了非晶、準(zhǔn)晶、孿晶、納米晶、單晶、晶界等內(nèi)容。

    2023/05/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 單晶 SiC 微納力學(xué)性能測試與材料去除機(jī)制的研究進(jìn)展

    介紹單晶 SiC 微納力學(xué)性能測試方法、加工去除機(jī)制及研究進(jìn)展。

    2025/10/31 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 錸含量對第四代鎳基單晶高溫合金凝固組織的影響

    本文以第四代鎳基單晶高溫合金DD15為基礎(chǔ)，將其錸含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù))分別調(diào)整為5%，6%，7%制備單晶高溫合金，研究了錸含量對合金凝固組織特征與元素分布的影響。

    2022/09/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 晶體生長機(jī)理和溶劑性質(zhì)、經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

    在有機(jī)合成中，常常有無法僅靠核磁確定結(jié)構(gòu)的化合物，這時即可通過培養(yǎng)單晶進(jìn)行X-RAY確認(rèn)結(jié)構(gòu)。利用單晶X射線衍射法確認(rèn)結(jié)構(gòu)時，最困難的往往是第一步，制備合適的單晶。目前單晶培養(yǎng)主要依賴于經(jīng)驗(yàn)，單晶是結(jié)晶體內(nèi)部的微粒在三維空間呈有規(guī)律地、周期性地排列，或者說晶體的整體在三維方向上由同一空間格子構(gòu)成，整個晶體中質(zhì)點(diǎn)在空間的排列為長程有序。完整的理

    2022/12/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 直拉單晶的過程控制和硅片的檢測工藝

    摘要：本文簡要介紹了直拉法單晶的過程控制的重要點(diǎn)和后期硅片常用的檢測方法及注意事項(xiàng)，以達(dá)到產(chǎn)品從生產(chǎn)到出廠的連續(xù)質(zhì)量控制環(huán)節(jié)，為客戶提供更高效，安全，高質(zhì)量的服務(wù)。

    2018/06/21 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • PTB對單晶硅熱膨脹和壓縮率進(jìn)行絕對測量

    德國聯(lián)邦物理技術(shù)研究院（PTB）使用成像干涉測量法對單晶硅量塊進(jìn)行了絕對長度測量。比起先前所有的測量結(jié)果，這些測量值具有更小的測量不確定度。

    2021/11/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 單晶硅的生長技術(shù)與難點(diǎn)

    科技進(jìn)步和對高效智能產(chǎn)品需求的增長進(jìn)一步奠定了集成電路產(chǎn)業(yè)在國家發(fā)展中的核心地位。而半導(dǎo)體硅單晶作為集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展基石，其對促進(jìn)技術(shù)革新和經(jīng)濟(jì)增長起到至關(guān)重要的作用。

    2025/08/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 單晶三元正極材料的性能與合成研究

    目前的三元正極材料的顆粒是由一次顆粒團(tuán)聚而形成的二次顆粒球。而單晶（single-crystal or monocrystal）三元正極材料的顆粒均為分散的一次顆粒。這種獨(dú)特的微觀形貌使得單晶三元材料相比二次球材料有著許多優(yōu)勢。

    2021/05/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 高性能碳化硅單晶及在新型顯示中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)被認(rèn)為是半導(dǎo)體材料中最具有前途的材料之一

    2019/02/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 一文讀懂半導(dǎo)體材料與檢測

    本文介紹了晶體結(jié)構(gòu),晶面與晶向,晶體中的缺陷,晶體中的雜質(zhì),生長單晶硅及單晶硅性能測試。

    2021/08/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享