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本文對一種新型鎳基單晶高溫合金在不同應變幅(0.7%~1.2%)下進行760℃高溫低周疲勞試驗，探討了應變幅對合金低周疲勞行為的影響，分析了其疲勞塑性變形特點和疲勞斷裂機制。

2022/07/28 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文主要介紹了硅單晶中氧、碳的分布情況，紅外光譜法測單晶硅中氧、碳的含量及硅晶體中間隙氧和替位碳含量的測試方法。

2021/12/18 更新 分類：科研開發(fā) 分享

近日，天津大學李立強-陳小松團隊受多晶薄膜重結(jié)晶(一種自發(fā)的形態(tài)不穩(wěn)定現(xiàn)象)的啟發(fā)，開發(fā)了一種空間限域重結(jié)晶的方法.

2023/11/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享

與冶金級硅材料相比，用于太陽能行業(yè)的多晶硅具有顯著更高的純度，通常為99.999％或以上的純度。殘留物是雜質(zhì)，如C，O和微量元素，如Fe，Cu，Ni等。痕量污染物的數(shù)量取決于制造商、過程以及有時生產(chǎn)批次

2018/03/06 更新 分類：法規(guī)標準 分享

本文結(jié)合易沖半導體的高邊CPSQ54xx系列詳細解釋垂直單晶工藝對高邊驅(qū)動芯片過溫過流保護的加成左右，希望能給廣大汽車電子設計工程師在方案設計時帶來一定幫助。

2025/07/28 更新 分類：科研開發(fā) 分享

LED芯片也稱為LED發(fā)光芯片，是LED燈的核心組件，也就是指的P-N結(jié)。其主要功能是：把電能轉(zhuǎn)化為光能，芯片的主要材料為單晶硅。

2015/08/05 更新 分類：生產(chǎn)品管 分享

國家標準計劃《硅單晶中氮含量的測定 二次離子質(zhì)譜法》正在征求意見，截止日期為2021年10月12日。

2021/08/25 更新 分類：法規(guī)標準 分享

本文主要介紹了XRD標準譜獲取的三種途徑及單晶數(shù)據(jù)模擬計算得到XRD的標準譜圖的方法。

2022/03/17 更新 分類：科研開發(fā) 分享

晶型定量檢測方法可能包括有：單晶X射線衍射法、粉末X射線衍射法、紅外光譜法、差示掃描量熱法等，本文就這幾種常用的定量方法做簡單介紹。

2022/12/01 更新 分類：科研開發(fā) 分享

為了得到特定需求的結(jié)晶產(chǎn)品，需要控制影響晶體性質(zhì)的相關(guān)技術(shù)指標，如晶型（即晶體的微觀堆積方式）、晶體的宏觀外形和晶粒度的分布等。

2025/02/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享