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本文介紹了研發(fā)各階段的質(zhì)量管控精髓。

2024/05/13 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文將對TKY管節(jié)點(diǎn)焊縫的超聲檢測進(jìn)行分析，并結(jié)合實(shí)例進(jìn)行詳細(xì)討論。

2024/08/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了MOS管的開通關(guān)斷過程分析。

2024/12/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享

今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因。

2025/02/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文討論光子計數(shù)CT，對球管提出哪些新要求？

2025/02/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

MOS管開關(guān)電路設(shè)計詳解。

2025/11/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享

為什么同樣是 PTFE 內(nèi)襯鞘管，有的彎折后容易起皺、分層，而有的卻能長期穩(wěn)定使用？

2025/12/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享

位錯對材料性能非常重要。本文提出一種特制的掃描電子顯微鏡裝置，對雙層石墨烯中的位錯成像，并同時在納米尺度原位操縱位錯，可以直接揭示線張力、位錯相互作用、節(jié)點(diǎn)形成等位錯的基本特性。

2021/02/10 更新 分類：科研開發(fā) 分享

PC模塊在進(jìn)行靜電放電測試時，發(fā)現(xiàn)對雙層USB端子、RJ45端子的金屬外殼進(jìn)行±6KV接觸放電測試時出現(xiàn)顯示黑屏、畫異，拔插HDMI信號后無法正常顯示，系統(tǒng)出現(xiàn)宕機(jī)、死機(jī)現(xiàn)象。

2024/07/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文設(shè)計出了兩組負(fù)極片，一組是將包覆石墨和非包覆石墨混合使用，另一組是具有雙層結(jié)構(gòu)的負(fù)極片，表層是包覆石墨，底層是非包覆石墨。

2025/02/20 更新 分類：科研開發(fā) 分享