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您當(dāng)前的位置:檢測(cè)預(yù)警 > 欄目首頁

  • 導(dǎo)熱膠帶在5G等微型電子設(shè)備的熱管理應(yīng)用

    隨著集成技術(shù)和微電子封裝技術(shù)的發(fā)展,電子元器件的總功率密度不斷增長(zhǎng),而電子元器件和電子設(shè)備的物理尺寸卻逐漸趨向于小型、微型化,特別是5G技術(shù)的落定。所產(chǎn)生的熱量迅速積累,導(dǎo)致集成器件周圍的熱流密度也在增加,所以,高溫環(huán)境必將會(huì)影響到電子元器件和設(shè)備的性能,這就需要更加高效的熱控制方案。因此,電子元器件、電子設(shè)備的散熱問題已演變成為當(dāng)前電

    2021/01/07 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 華為4款醫(yī)械產(chǎn)品進(jìn)入優(yōu)先審批

    昨天(8月23日),廣東省藥監(jiān)局發(fā)布了《第二類醫(yī)療器械優(yōu)先審批申請(qǐng)審核結(jié)果公示(第四十九期)》。公告顯示,華為公司腕部心電血壓記錄儀、心電分析系統(tǒng)、心率失常分析系統(tǒng)、腕部單導(dǎo)心電采集器等4個(gè)醫(yī)療器械產(chǎn)品正式進(jìn)入優(yōu)先審批程序。

    2021/08/24 更新 分類:熱點(diǎn)事件 分享

  • 電連接器的概述和研究現(xiàn)狀分析

    本文具體介紹了電連接器的3大基本組成結(jié)構(gòu)和作用;重點(diǎn)敘述了電連接器按外形結(jié)構(gòu)和連接方式的2種分類,同時(shí)歸類分析了電連接器的4種典型失效模式及主要原因,并針對(duì)電連接器目前的研究現(xiàn)狀,提出了3條合理的建議和展望。

    2022/02/22 更新 分類:行業(yè)研究 分享

  • Nature Materials:成功制備高通量高選擇性超薄分離膜

    近日,研究人員在 Nature Materials 期刊上發(fā)表了一篇題為“Fast water transport and molecular sieving through ultrathin ordered conjugated-polymer-framework membranes” 的新研究。該研究成果報(bào)道了利用化學(xué)氣相沉積法制備超薄共軛聚合物框架膜的策略,實(shí)現(xiàn)了規(guī)整的亞納米通道的精確構(gòu)筑。該分離膜展現(xiàn)出高通量和高選擇性的水脫鹽性能,為開發(fā)下一代碳材料膜用于分子尺度精準(zhǔn)分離提供了新思路。

    2022/08/10 更新 分類:熱點(diǎn)事件 分享

  • 環(huán)保部發(fā)布五項(xiàng)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

    近日,環(huán)保部又公布五項(xiàng)環(huán)境檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn),其中含三項(xiàng)土壤和沉積物標(biāo)準(zhǔn),兩項(xiàng)環(huán)境空氣標(biāo)準(zhǔn),采用的檢測(cè)方法分別為氣質(zhì)法、原子吸收法和氣相色譜法。

    2015/04/05 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

  • 納米級(jí)薄膜的熱特性檢測(cè)世界難題已突破

    1納米僅為1根頭發(fā)絲直徑的六萬分之一,如何檢測(cè)薄膜的熱特性成為國(guó)際難題,過去需要先把薄膜沉積得很厚,再把待測(cè)薄膜材料刮下來,形成一定質(zhì)量的粉末后,才能進(jìn)行破壞性檢測(cè)。

    2017/12/12 更新 分類:熱點(diǎn)事件 分享

  • 高頻燃燒-紅外吸收光譜法測(cè)定土壤和水系沉積物中總有機(jī)碳和有機(jī)質(zhì)的含量

    本文考察了不同種類、不同濃度水平的酸溶液預(yù)處理樣品時(shí)對(duì)檢測(cè)結(jié)果的影響,優(yōu)化了分析氣路、分析時(shí)間、稱樣量及助熔劑添加量等檢測(cè)條件。

    2024/06/27 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 軸承鋼表面電弧離子鍍氮化物涂層的抗沖擊性能和耐磨性能

    基于此作者采用電弧離子鍍方法在軸承鋼表面沉積TiN和TiAlN涂層,對(duì)比研究了2種氮化物涂層的微觀結(jié)構(gòu)、硬度、抗沖擊性能和耐磨性能,研究結(jié)果可為高性能軸承的制備提供試驗(yàn)參考。

    2024/07/30 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 電快速瞬變脈沖群測(cè)試原理及對(duì)策

    本文介紹了電快速瞬變脈沖群測(cè)試的原理及對(duì)策。

    2020/11/18 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 臺(tái)積電進(jìn)入1.4納米,芯片工藝的極限在哪里

    本文介紹了芯片的現(xiàn)狀及發(fā)展方向。

    2022/05/23 更新 分類:科研開發(fā) 分享