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有極性電容和無極性電容原理上相同，都是存儲(chǔ)電荷和釋放電荷；極板上的電壓（這里把電荷積累的電動(dòng)勢(shì)叫電壓）不能突變。

2023/07/10 更新 分類：科研開發(fā) 分享

電磁兼容X 電容與 Y 電容的核心差異及應(yīng)用指南。

2026/01/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享

超級(jí)電容器性能測(cè)試及其檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

2017/12/06 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

鋁箔中金屬雜質(zhì)的存在，會(huì)使鋁電解電容器漏電流增大，從而縮短電容器的壽命，在使用上過壓等有可能使電容的漏電流增加。

2021/08/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了多層瓷介質(zhì)電容器的電容量老化特性。

2024/03/04 更新 分類：科研開發(fā) 分享

寄生電容一般是指電感繞線間、芯片引腳之間、功率半導(dǎo)體引腳之間在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。

2024/03/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了P型半導(dǎo)體的MOS電容器典型的電容-電壓特性。

2025/02/11 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文將從結(jié)構(gòu)原理、工藝特性、優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用領(lǐng)域等方面，深入比較這三種電容的差異。

2025/11/09 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文通過功率MOSFET管的工作特性，結(jié)合失效分析圖片中不同的損壞形態(tài)，系統(tǒng)的分析過電流損壞和過電壓損壞，同時(shí)，根據(jù)損壞位置不同，分析功率MOSFET管的失效是發(fā)生在開通的過程中，還是發(fā)生在關(guān)斷的過程中，從而為設(shè)計(jì)工程師提供一些依據(jù)，來找到系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一些問題，提高電子系統(tǒng)的可靠性。

2021/11/15 更新 分類：科研開發(fā) 分享

超級(jí)電容器，作為電化學(xué)儲(chǔ)能器件的潛力股不斷被提及。

2017/02/09 更新 分類：生產(chǎn)品管 分享