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多層片狀陶介電容器由陶瓷介質(zhì)、端電極、金屬電極三種材料構(gòu)成，失效形式為金屬電極和陶介之間層錯(cuò)，電氣表現(xiàn)為受外力（如輕輕彎曲板子或用烙鐵頭碰一下）和溫度沖擊（如烙鐵焊接）時(shí)電容時(shí)好時(shí)壞
2018/10/15 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文重點(diǎn)介紹了MLCC常用的規(guī)格及用途、C0G（NP0）電容器、X7R電容器、Z5U電容器、Y5V電容器、MLCC隨溫度如何變化等內(nèi)容。
2021/05/21 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文主要介紹了使用中出問題的原因，運(yùn)行溫度過(guò)高造成移相電容器的損壞，網(wǎng)絡(luò)離次諧波的影響，開關(guān)設(shè)備性能的影晌及影響薄膜電容器容量大小的原因。
2021/10/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享
問：醫(yī)療電源關(guān)于Y電容有要求一定要2個(gè)或以上Y電容串聯(lián)才可以么？或者說(shuō)只要滿足漏電流小于0.1mA就OK？
2023/05/25 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
在 PCB 布局設(shè)計(jì)中，去耦電容（decoupling capacitors）的放置要求非常講究，尤其是容值較小的去耦電容需要靠近用電器件（如芯片、IC等）。這是基于以下幾個(gè)重要的原因.
2024/12/13 更新 分類：科研開發(fā) 分享
超結(jié)MOSFET除傳統(tǒng)平面MOSFET EMC問題產(chǎn)生原因之外，其反向傳輸電容CRSS電容、輸出COSS電容的非線性是高頻寄生振蕩產(chǎn)生的重要原因，也是導(dǎo)致輻射發(fā)射測(cè)試不通過(guò)的重要因素之一。
2025/02/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享
鋁電解電容失效多因溫度、電應(yīng)力及機(jī)械損傷?？茖W(xué)選型、優(yōu)化設(shè)計(jì)（尤其大尺寸電容點(diǎn)膠）、規(guī)范運(yùn)輸與維護(hù)，可降低70%?以上失效率。當(dāng)前大容量場(chǎng)景下，掌握這些要點(diǎn)是提升設(shè)備可靠性的關(guān)鍵。
2025/11/04 更新 分類：檢測(cè)案例 分享
小編收集了17種電容器，現(xiàn)對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)的介紹。
2021/06/18 更新 分類：其他 分享
本文主要介紹了鉭電容器失效分析:非破壞性分析,高漏電流/短路失效,高ESR失效,低容量/開路。
2021/08/09 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文對(duì)影響電容器性能和壽命的主要環(huán)境因素是:環(huán)境溫度、濕度、振動(dòng)、沖擊、加速度及大氣壓力等進(jìn)行了討論。
2021/09/03 更新 分類：科研開發(fā) 分享
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