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  • P型半導(dǎo)體的MOS電容器典型的電容-電壓特性

    本文介紹了P型半導(dǎo)體的MOS電容器典型的電容-電壓特性。

    2025/02/11 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • MOSFET雪崩擊穿特性參數(shù)

    雪崩擊穿參數(shù)是MOS管在關(guān)斷狀態(tài)能承受過壓能力的指標，電壓超過漏源極限電壓將導(dǎo)致器件處在雪崩狀態(tài)。

    2025/02/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 多功能骨種植體，兼具高效抗菌活性和成骨能力

    本文主要介紹了HA/ MoS2-Ti6的表征及抗菌性能，活化細菌死亡，從細菌中提取電子以改變代謝，促進骨髓間充質(zhì)干細胞成骨分化及在體內(nèi)的骨整合。

    2021/11/29 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • Science：首創(chuàng)全新晶體制備方法

    北京大學(xué)等研究員團隊報告了一種界面外延方法，用于幾種組合物的生長，包括二硫化鉬(MoS2)，二硒化鉬，二硫化鎢，二硒化鎢，二硫化鈮，二硒化鈮和亞硒化鉬。

    2024/07/29 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 什么是MOS的體效應(yīng)（body bias）

    體偏壓是一把“雙刃劍”。它為現(xiàn)代集成電路設(shè)計提供了在性能和功耗之間動態(tài)優(yōu)化的強大工具，但設(shè)計者必須仔細評估并緩解其帶來的可靠性風險，如熱載流子效應(yīng)、BTI以及設(shè)計復(fù)雜性等，才能確保芯片在整個生命周期內(nèi)的穩(wěn)定可靠。

    2025/08/18 更新 分類：實驗管理 分享

  • 逆變器MOS或者IGBT選型對EMC的影響

    逆變器中使用的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）或IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）的選型對電磁兼容性（EMC）有顯著影響。

    2024/06/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • MOSFET管的靜態(tài)參數(shù)

    MOS管靜態(tài)參數(shù)指標包含：漏-源擊穿電壓V(BR)DSS、開啟電壓VTH、漏-源飽和漏電流IDSS、柵-源驅(qū)動電流或反向電流IGSS、導(dǎo)通電阻RDS(on)、柵源擊穿電壓VGS。

    2024/11/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 深入解析Buck電路：原理要點與器件選型建議

    本文闡釋 Buck 電路的降壓工作原理，詳解控制器芯片、MOS 管等核心器件的選型標準與參數(shù)計算，助力電子電氣設(shè)備電源設(shè)計。

    2026/01/20 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 重金屬污染物Pb(II)的高靈敏度、高選擇性準確檢測研究獲進展

    利用MoS2/RGO納米復(fù)合材料實現(xiàn)了水中微污染物Pb(II)的高靈敏、高選擇性檢測。該工作對于實際水樣中重金屬離子的選擇性及準確檢測具有重要的科學(xué)意義

    2019/03/22 更新 分類：法規(guī)標準 分享

  • 靜電放電（ESD）測試原理和解決方案

    從最基本的理論講起逐步講解ESD保護的原理及注意點， 你會發(fā)現(xiàn)前面講的PN結(jié)/二極管、三極管、MOS管、全都用上了

    2019/12/23 更新 分類：法規(guī)標準 分享