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本文將圍繞柵氧化層擊穿的成因、特征及失效模型展開探討。
2025/08/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
2018/10/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享
小信號MOS在進行可靠性測試時失效，經測試為GS漏電，對故障樣品進行失效分析。
2024/11/16 更新 分類：檢測案例 分享
關于功率MOS的幾點電壓結溫特性。
2025/07/13 更新 分類：科研開發(fā) 分享
4 種方法測試mos管的好壞。
2025/07/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享
MOS管波形異常的解決辦法。
2025/07/21 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文將從結構原理、工藝特性、優(yōu)缺點及應用領域等方面，深入比較這三種電容的差異。
2025/11/09 更新 分類：科研開發(fā) 分享
MOS管發(fā)生雪崩失效與其自身特性有關。實際的工程應用中，功率器件會降額，從而留有足夠的電壓余量。通過增加緩沖吸收電路，進一步避免或延緩其失效的發(fā)生。
2021/06/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享
MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。
2023/11/18 更新 分類：科研開發(fā) 分享
最近做了一款正激有源鉗位電源，DC48輸入，DC28V輸出，功率200W，頻率100K。下邊分別說說MOS管的差異
2024/12/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享
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