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SiC納米增強體作為一維納米材料具有優(yōu)異的力學性能，因此將在陶瓷材料、復合材料和涂層材料等領域具有更加廣泛的應用。

2021/05/13 更新 分類：科研開發(fā) 分享

連續(xù)纖維增強碳化硅陶瓷基復合材料（SiCf/SiC CMC）是下一代高推重比、大推力航空發(fā)動機熱結(jié)構(gòu)部件的關鍵材料。在發(fā)動機的嚴苛燃氣服役環(huán)境中，必須在SiCf/SiC復合材料構(gòu)件表面涂覆環(huán)境障涂層，來阻止或減緩燃氣環(huán)境造成的材料腐蝕侵傷。

2023/03/03 更新 分類：科研開發(fā) 分享

公安部在16個城市試點基礎上，為機動車所為了研究環(huán)境溫度對陶瓷基復合材料拉伸性能的影響，在室溫和800℃，1 000℃，1 200℃惰性氣體保護環(huán)境下開展了二維編織SiC/SiC復合材料的拉伸試驗。

2024/03/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了SiC襯底和外延材料對MOSFET器件特性的影響。

2024/03/15 更新 分類：科研開發(fā) 分享

介紹單晶 SiC 微納力學性能測試方法、加工去除機制及研究進展。

2025/10/31 更新 分類：科研開發(fā) 分享

碳化硅(SiC)被認為是半導體材料中最具有前途的材料之一

2019/02/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了浪涌測試及其意義，國內(nèi)外SiC MOSFET浪涌性能的研究現(xiàn)狀及浪涌測試原理概述等。

2023/03/17 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文通過重點分析一篇典型外文文獻來說明SiC mosfet的體二極管的可靠性機理，這個討論并不針對任何一家廠商的產(chǎn)品，僅僅是做技術(shù)上的討論。

2023/02/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

意法半導體推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)，在功率效率、功率密度和穩(wěn)健性方面樹立了新的標桿。

2024/09/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文總結(jié)了上海海事大學張艷教授近期開展的研究工作，該研究構(gòu)建了碳化硅功率模塊的熱阻抗模型。結(jié)合器件損耗估算，該模型可用于計算實際工況下的瞬態(tài)與穩(wěn)態(tài)結(jié)溫。

2025/12/20 更新 分類：科研開發(fā) 分享