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  • 一文了解芯片鍍膜技術(shù)及檢測(cè)方法

    薄膜外延生長(zhǎng)是一種關(guān)鍵的材料制備方法，其廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、光電子學(xué)和納米技術(shù)領(lǐng)域。

    2025/03/17 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 高性能碳化硅單晶及在新型顯示中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)被認(rèn)為是半導(dǎo)體材料中最具有前途的材料之一

    2019/02/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 做應(yīng)力測(cè)試時(shí)該如何選擇應(yīng)變片

    對(duì)于個(gè)位數(shù)級(jí)別微應(yīng)變測(cè)量，正確的選擇是采用箔式電阻應(yīng)變片。盡管半導(dǎo)體應(yīng)變片有很好的穩(wěn)定性，但其在一定條件下容易產(chǎn)生很多誤差，如溫度變化以及光線變化。

    2020/12/12 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

  • 過電應(yīng)力的主要失效模式與機(jī)理分析

    本文通過模擬過電應(yīng)力（靜電、浪涌、直流）來分析半導(dǎo)體器件在各種極端電應(yīng)力環(huán)境下失效的現(xiàn)象和機(jī)理，及如何利用好TVS降低過電應(yīng)力危害。

    2021/11/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算

    本文將簡(jiǎn)單說明如何測(cè)量功耗并計(jì)算二極管和 IGBT 芯片的溫升。

    2023/04/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • CMOS靜電和過壓?jiǎn)栴}

    對(duì)于模擬CMOS（互補(bǔ)對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體）而言，兩大主要危害是靜電和過壓（信號(hào)電壓超過電源電壓）。了解這兩大危害，用戶便可以有效應(yīng)對(duì)。

    2023/05/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 量子計(jì)算將促進(jìn)新一代芯片設(shè)計(jì)

    量子計(jì)算提供了一系列工具和解決方案，可以推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。其中包括提高芯片安全性、加快新材料的發(fā)現(xiàn)、優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)和模擬量子效應(yīng)。

    2023/12/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 什么是寄生電容？寄生電容的形式與影響

    寄生電容一般是指電感繞線間、芯片引腳之間、功率半導(dǎo)體引腳之間在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。

    2024/03/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • EMC功放1dB增益壓縮點(diǎn)概述及測(cè)試方法

    非線性是如何產(chǎn)生的，為什么會(huì)引起增益壓縮，如何測(cè)試1dB增益壓縮點(diǎn)，這將是下文要重點(diǎn)介紹的內(nèi)容。

    2024/04/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 下一代芯片技術(shù)的重大突破

    本研究通過在原子水平上控制現(xiàn)有二維半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)，將其轉(zhuǎn)化為一維 MTB，實(shí)現(xiàn)了一維 MTB 金屬相。

    2024/07/05 更新 分類：科研開發(fā) 分享