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您當(dāng)前的位置：檢測(cè)預(yù)警 > 欄目首頁

  • 剛剛，半導(dǎo)體激光治療設(shè)備（第二類）注冊(cè)審查指導(dǎo)原則（2025年修訂版）正式發(fā)布

    本指導(dǎo)原則旨在指導(dǎo)注冊(cè)申請(qǐng)人對(duì)半導(dǎo)體激光治療設(shè)備注冊(cè)申報(bào)資料的準(zhǔn)備及撰寫，同時(shí)也為技術(shù)審評(píng)部門提供參考。

    2025/12/28 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

  • 靜電放電（ESD）對(duì)半導(dǎo)體的危害與防護(hù)及其檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

    半導(dǎo)體器件在制造、測(cè)試、存儲(chǔ)、運(yùn)輸及裝配過程中，儀器設(shè)備、材料及操作者都很容易因摩擦而產(chǎn)生幾千甚至上萬伏的靜電電壓。當(dāng)器件與這些帶電體接觸時(shí)，帶電體就會(huì)通過器件引腳進(jìn)行放電，從而可能導(dǎo)致器件的損傷。

    2017/11/08 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

  • 半導(dǎo)體材料表征能譜測(cè)試結(jié)果異常原因分析

    來自山東大學(xué)的高學(xué)平和張愛敏兩位研究人員在半導(dǎo)體材料表征中遇到能譜測(cè)試結(jié)果異?，F(xiàn)象，異常現(xiàn)象產(chǎn)生原因可能與加速電壓、電子束流、元素含量、原子序數(shù)、設(shè)備靈敏度等多種因素有關(guān)。為了準(zhǔn)確了解異?，F(xiàn)象產(chǎn)生的原因，并提出合理的解釋，研究人員利用原子力顯微鏡(AFM)，蒙特卡洛模擬(Monte Carlo Simulation)軟件以及掃描電鏡配置的能譜儀等設(shè)備對(duì)此異常現(xiàn)象進(jìn)行了分析

    2020/10/14 更新 分類：實(shí)驗(yàn)管理 分享

  • 半導(dǎo)體超痕量分析的難點(diǎn)解析

    在半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)純水的要求是各污染元素的濃度均不超過20ppt，對(duì)其他試劑的純度要求也相當(dāng)嚴(yán)格。為了達(dá)到用ICP-MS測(cè)定ppt量級(jí)的Fe及其他關(guān)鍵元素的目的，上述各影響因素必須很好的消除。多年來，分析科學(xué)家及儀器制造商一直在不斷嘗試，現(xiàn)將其排除方法及其新的進(jìn)展做一簡單概括。

    2021/06/29 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 半導(dǎo)體激光器加速退化試驗(yàn)（ADT）案例研究與詳細(xì)計(jì)算分析

    本文旨在通過一個(gè)完整的案例，詳細(xì)闡述加速退化試驗(yàn)（Accelerated Degradation Testing, ADT）的理論、設(shè)計(jì)與數(shù)據(jù)分析全過程。我們以廣泛應(yīng)用于光通信領(lǐng)域的半導(dǎo)體激光器（Laser Diode, LD）作為研究對(duì)象，以其關(guān)鍵性能參數(shù)——輸出光功率作為退化特征量。通過施加高工作電流作為加速應(yīng)力，模擬其自然退化過程。案例將逐步展示試驗(yàn)設(shè)計(jì)、模型建立、數(shù)據(jù)收集、參數(shù)估計(jì)以及最終在正

    2025/10/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 光電導(dǎo)天線設(shè)計(jì)以及光電導(dǎo)天線檢測(cè)

    光電導(dǎo)天線包含一個(gè)嵌入在天線結(jié)構(gòu)的快速激活開關(guān)。實(shí)際上，光電導(dǎo)天線通常采取由半導(dǎo)體襯底的金屬電極的形式，和一個(gè)幾何體。飛秒光脈沖將被聚焦到兩個(gè)電極之間的縫隙中。假如光脈沖有一個(gè)與半導(dǎo)體帶隙大致相等的波長，電子空穴就會(huì)產(chǎn)生

    2018/09/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 重大突破！華中科技大學(xué)攻克芯片光刻膠關(guān)鍵技術(shù)

    華中科技大學(xué)研發(fā)的T150A光刻膠系列產(chǎn)品已通過半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了原材料全部國產(chǎn)配方全自主設(shè)計(jì)，有望開創(chuàng)國內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造新局面

    2024/11/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 混合集成電路的EMC設(shè)計(jì)

    混合集成電路(Hybrid Integrated Circuit)是由半導(dǎo)體集成工藝與厚(薄)膜工藝結(jié)合而制成的集成電路。混合集成電路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互連線,并在同一基片上將分立的半導(dǎo)體芯片、單片集成電路或微型元件混合組裝,再外加封裝而成

    2018/07/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 半導(dǎo)體器件鍵合失效模式及機(jī)理分析

    本文通過對(duì)典型案例的介紹，分析了鍵合工藝不當(dāng)，以及器件封裝因素對(duì)器件鍵合失效造成的影響。通過對(duì)鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析，以及對(duì)各種失效模式總結(jié)，闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良，造成鍵合本質(zhì)失效的機(jī)理；并提出了控制有缺陷器件裝機(jī)使用的措施。

    2021/12/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • AEC Q101分立器件間隙工作壽命介紹

    本文為確定半導(dǎo)體器件在特定條件下是否符合規(guī)定的周期數(shù)，在器件反復(fù)開啟和關(guān)閉的條件下，它加速了器件的芯片和安裝面之間的所有鍵合和接口的應(yīng)力，因此較適合用于管殼安裝類型（例如螺柱、法蘭和圓盤）器件。

    2022/02/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享