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對于個(gè)位數(shù)級別微應(yīng)變測量，正確的選擇是采用箔式電阻應(yīng)變片。盡管半導(dǎo)體應(yīng)變片有很好的穩(wěn)定性，但其在一定條件下容易產(chǎn)生很多誤差，如溫度變化以及光線變化。

2020/12/12 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

本文通過模擬過電應(yīng)力（靜電、浪涌、直流）來分析半導(dǎo)體器件在各種極端電應(yīng)力環(huán)境下失效的現(xiàn)象和機(jī)理，及如何利用好TVS降低過電應(yīng)力危害。

2021/11/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本次召回范圍內(nèi)車輛的后電機(jī)逆變器功率半導(dǎo)體元件可能存在微小的制造差異

2022/04/08 更新 分類：監(jiān)管召回 分享

可降解假性共軛聚合物的生物醫(yī)用研究獲進(jìn)展

2022/08/13 更新 分類：行業(yè)研究 分享

本文從汽車行業(yè)的IGBT模塊環(huán)境試驗(yàn)的要求出發(fā)，介紹了汽車級功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊需要滿足的條件。

2022/08/26 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

本文將簡單說明如何測量功耗并計(jì)算二極管和 IGBT 芯片的溫升。

2023/04/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享

對于模擬CMOS（互補(bǔ)對稱金屬氧化物半導(dǎo)體）而言，兩大主要危害是靜電和過壓（信號電壓超過電源電壓）。了解這兩大危害，用戶便可以有效應(yīng)對。

2023/05/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享

寄生電容一般是指電感繞線間、芯片引腳之間、功率半導(dǎo)體引腳之間在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。

2024/03/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享

非線性是如何產(chǎn)生的，為什么會(huì)引起增益壓縮，如何測試1dB增益壓縮點(diǎn)，這將是下文要重點(diǎn)介紹的內(nèi)容。

2024/04/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本研究通過在原子水平上控制現(xiàn)有二維半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)，將其轉(zhuǎn)化為一維 MTB，實(shí)現(xiàn)了一維 MTB 金屬相。

2024/07/05 更新 分類：科研開發(fā) 分享