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您當(dāng)前的位置：檢測預(yù)警 > 欄目首頁

  • 半導(dǎo)體業(yè)應(yīng)抓住全球兼并重組機遇

    近幾年，隨著芯片市場逐漸走向成熟，一度高速增長的芯片企業(yè)營收增速也逐漸放緩。激烈的市場競爭導(dǎo)致產(chǎn)品毛利率逐漸降低，一部分企業(yè)因利潤開始下滑甚至出現(xiàn)虧損，使得股東產(chǎn)

    2015/09/24 更新 分類：其他 分享

  • 檢測領(lǐng)域?qū)⒊砂雽?dǎo)體及電機產(chǎn)業(yè)核心

    若欲確立差異性，關(guān)鍵在于不斷升級檢測精確度，早一步因應(yīng)如雨后春筍般的新產(chǎn)品、新技術(shù)。

    2015/11/18 更新 分類：行業(yè)研究 分享

  • 做應(yīng)力測試時該如何選擇應(yīng)變片

    對于個位數(shù)級別微應(yīng)變測量，正確的選擇是采用箔式電阻應(yīng)變片。盡管半導(dǎo)體應(yīng)變片有很好的穩(wěn)定性，但其在一定條件下容易產(chǎn)生很多誤差，如溫度變化以及光線變化。

    2020/12/12 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

  • 過電應(yīng)力的主要失效模式與機理分析

    本文通過模擬過電應(yīng)力（靜電、浪涌、直流）來分析半導(dǎo)體器件在各種極端電應(yīng)力環(huán)境下失效的現(xiàn)象和機理，及如何利用好TVS降低過電應(yīng)力危害。

    2021/11/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 汽車級IGBT模塊環(huán)境試驗要求

    本文從汽車行業(yè)的IGBT模塊環(huán)境試驗的要求出發(fā)，介紹了汽車級功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊需要滿足的條件。

    2022/08/26 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

  • IGBT的損耗與結(jié)溫計算

    本文將簡單說明如何測量功耗并計算二極管和 IGBT 芯片的溫升。

    2023/04/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • EMC功放1dB增益壓縮點概述及測試方法

    非線性是如何產(chǎn)生的，為什么會引起增益壓縮，如何測試1dB增益壓縮點，這將是下文要重點介紹的內(nèi)容。

    2024/04/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 下一代芯片技術(shù)的重大突破

    本研究通過在原子水平上控制現(xiàn)有二維半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)，將其轉(zhuǎn)化為一維 MTB，實現(xiàn)了一維 MTB 金屬相。

    2024/07/05 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 微通孔倒裝焊芯片封裝失效機制與改進策略

    本文探討了宇航、車載和工業(yè)控制等行業(yè)數(shù)據(jù)處理需求增長，推動半導(dǎo)體技術(shù)向更高集成度發(fā)展。

    2024/10/18 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 如何理解浴盆曲線

    半導(dǎo)體器件和普通電子設(shè)備一樣，其故障區(qū)域可分為早期故障、偶然故障和耗損故障這三種類型，故障率隨時間的變化曲線被稱為浴盆曲線。

    2024/12/18 更新 分類：科研開發(fā) 分享