您當(dāng)前的位置：檢測(cè)預(yù)警 > 欄目首頁
對(duì)于模擬CMOS（互補(bǔ)對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體）而言，兩大主要危害是靜電和過壓（信號(hào)電壓超過電源電壓）。了解這兩大危害，用戶便可以有效應(yīng)對(duì)。
2023/05/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享
寄生電容一般是指電感繞線間、芯片引腳之間、功率半導(dǎo)體引腳之間在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。
2024/03/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享
對(duì)半導(dǎo)體晶圓在濕法清洗工藝中可能導(dǎo)致的各種缺陷成因進(jìn)行分析，并對(duì)缺陷的處理方式做了簡(jiǎn)要探討。
2024/10/17 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文介紹了二次離子質(zhì)譜法的工作原理、特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用。
2025/03/27 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文將從定義、結(jié)構(gòu)、作用及缺失風(fēng)險(xiǎn)四個(gè)維度，全面解析這一芯片 "守護(hù)者" 的技術(shù)內(nèi)涵。
2025/05/12 更新 分類：科研開發(fā) 分享
闡述化學(xué)試劑對(duì)機(jī)械件的腐蝕評(píng)估方法、壽命預(yù)測(cè)模型，結(jié)合半導(dǎo)體設(shè)備案例，強(qiáng)調(diào)科學(xué)評(píng)估的重要性。
2025/10/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享
在X射線自動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)（AXI）中，速度、可靠性和高分辨率是關(guān)鍵。對(duì)于典型的高性能電子產(chǎn)品生產(chǎn)線來說，周期時(shí)間以秒為單位計(jì)算，這些生產(chǎn)線通常24小時(shí)全天候運(yùn)轉(zhuǎn)。因此，條件穩(wěn)定的高通量工藝流程至關(guān)重要。本文將給出如何在高端電子生產(chǎn)（PCB組裝）、電池生產(chǎn)和半后端生產(chǎn)環(huán)境中提高生產(chǎn)率和品質(zhì)可靠性的解決方案。
2021/03/15 更新 分類：科研開發(fā) 分享
二次離子質(zhì)譜儀分析對(duì)象包括金屬及合金、半導(dǎo)體、絕緣體、有機(jī)物、生物膜等，應(yīng)用領(lǐng)域包括化學(xué)、物理學(xué)和生物科學(xué)等基礎(chǔ)研究，并已遍及到微電子學(xué)、材料科學(xué)、催化、薄膜等領(lǐng)域。
2016/01/18 更新 分類：實(shí)驗(yàn)管理 分享
高低溫沖擊試驗(yàn)箱用于電子電器零組件、自動(dòng)化零部件、通訊組件、汽車配件、金屬、化學(xué)材料、塑膠等行業(yè)，國防工業(yè)、航天、兵工業(yè)、BGA、PCB基扳、電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁及高分
2017/04/13 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
陶瓷電容器品種繁多，按使用的介質(zhì)材料特性可分為Ⅰ型、Ⅱ型和半導(dǎo)體陶瓷電容器;按無功功率大小可分為低功率、高功率陶瓷電容器;按工作電壓可分為低壓和高壓陶瓷電容器;按結(jié)構(gòu)形狀可分為圓片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、疊片、獨(dú)石、塊狀、支柱式、穿心式等。
2019/08/31 更新 分類：科研開發(fā) 分享
關(guān)于我們 聯(lián)系我們 營業(yè)執(zhí)照 全國服務(wù)電話：400-818-0021 嘉峪檢測(cè)版權(quán)所有 備案號(hào)：京ICP備14047019號(hào)-2 
京公網(wǎng)安備11010802046783號(hào)
