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中國科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室劉明院士團隊從理論方面提出了載流子的“集體輸運效應(yīng)”（collective transport）的物理機制。

2023/05/11 更新 分類：行業(yè)研究 分享

本文對BEoL階段的與時間相關(guān)的電介質(zhì)擊穿（TDDB）模型進行研究。

2024/10/27 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文對因高溫導(dǎo)致的金屬間化合物和氧化失效模型進行研究

2024/11/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

一般來說，我們所知道的半導(dǎo)體制造的八大工藝分別為：晶圓加工、氧化、光刻、刻蝕、沉積、金屬互連、測試和封裝。

2025/04/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文主要帶你了解薄膜制備技術(shù)。

2025/09/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享

近日，國家質(zhì)檢總局、國家標準委批準發(fā)布了《半導(dǎo)體照明設(shè)備和系統(tǒng)的光輻射安全測試方法》國家標準

2018/04/13 更新 分類：法規(guī)標準 分享

MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。

2018/10/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

半導(dǎo)體材料氧化鎵的性能潛力及面臨的挑戰(zhàn)。

2021/03/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了晶體結(jié)構(gòu),晶面與晶向,晶體中的缺陷,晶體中的雜質(zhì),生長單晶硅及單晶硅性能測試。

2021/08/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文對FEoL階段的相變（PCM）非易失性存儲器數(shù)據(jù)保持模型進行研究

2024/10/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享